SEMI 3D8 - 3DS-IC 一時的ボンドデボンド (TBDB) プロセスで 300 mm キャリア ウェーハとして使用するシリコン ウェーハを記述するためのガイド

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G09700 - SEMI G97 - 薄いチップの処理に使用される粘着トレイの仕様
SEMI G97 - 薄いチップの処理に使用される粘着トレイの仕様 セール価格Member Price: ¥113
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M04400 - SEMI M44 - シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド
SEMI M44 - シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド セール価格Member Price: ¥113
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G02900 - SEMI G29 - モールディングコンパウンド中の微量肥満検査のための試験方法
G07300 - SEMI G73 - ワイヤーボンディングに関するプル強度のための試験方法
SEMI G73 - ワイヤーボンディングに関するプル強度のための試験方法 セール価格Member Price: ¥135
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G01800 - SEMI G18 - エッチングされたリードフレームの製造に使用される集積回路リードフレーム材料の仕様
G07000 - SEMI G70 - プラスチックパッケージリードフレーム測定用装置とリードフレームサポート具の基準
MF136600 - SEMI MF1366 - 二次イオン質量分析による高濃度ドープシリコン基板の酸素濃度測定の試験方法
M07000 - SEMI M70 - 部分的なウェーハサイトの平坦度を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための試験方法
M01600 - SEMI M16 - 多結晶シリコンの仕様
SEMI M16 - 多結晶シリコンの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G01100 - SEMI G11 - 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間およびスパイラルフローの推奨作業方法
MF115300 - SEMI MF1153 - 容量電圧測定による金属酸化シリコン (MOS) 構造の特性評価のための試験方法
G02000 - SEMI G20 - プラスチックパッケージのリード仕上げの仕様 (アクティブデバイスのみ)
M08200 - SEMI M82 - 赤外吸収分光法による半絶縁性ガリウムヒ素単結晶中の炭素アクセプター濃度の試験方法
M06300 - SEMI M63 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
G05200 - SEMI G52 - 半導体リードフレームのイオン汚染の測定のための標準測定法(提案)