SEMI 3D8 - 3DS-IC 一時的ボンドデボンド (TBDB) プロセスで 300 mm キャリア ウェーハとして使用するシリコン ウェーハを記述するためのガイド

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P03000 - SEMI P30 - 限界寸法測定走査型電子顕微鏡(CD-SEM)のカタログ発行の実務
G09200 - SEMI G92 - 450mmウェーハ用テープフレームカセットの仕様
SEMI G92 - 450mmウェーハ用テープフレームカセットの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
D04500 - SEMI D45 - 平面表示器彩色濾光片使用、高抵抗値を含む樹脂型黑色陣電抵抗の量測定方法
M02100 - SEMI M21 - カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレスのガイド
M03900 - SEMI M39 - 半絶縁性 GaAs 単結晶の抵抗率とホール係数を測定し、ホール移動度を決定するための試験方法
P02000 - SEMI P20 - EBレジストパラメータのカタログ掲載に関するガイドライン(案)
D03900 - SEMI D39 - FPD偏光板用マーカーの仕様
SEMI D39 - FPD偏光板用マーカーの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
P01500 - SEMI P15 - 原子吸光分光法によるポジ型フォトレジスト金属イオンフリー (MIF) 現像液中のナトリウムとカリウムの定量
M02200 - SEMI M22 - 誘電体絶縁 (DI) ウェーハの仕様
SEMI M22 - 誘電体絶縁 (DI) ウェーハの仕様 セール価格Member Price: ¥113
Non-Member Price: ¥31,900
G08100 - SEMI G81 - マップデータ・アイテムの仕様
SEMI G81 - マップデータ・アイテムの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
P01200 - SEMI P12 - 誘導結合プラズマ発光分光法 (ICP) によるポジ型フォトレジスト中の鉄、亜鉛、カルシウム、マグネシウム、銅、ホウ素、アルミニウム、クロム、マンガン、ニッケルの定量
G08800 - SEMI G88 - 450mmウェーハ用テープフレームの仕様
SEMI G88 - 450mmウェーハ用テープフレームの仕様 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
G07100 - SEMI G71 - パッケージング材料の中間容器のバーコードマーキングの仕様
M03600 - SEMI M36 - 低転位密度GaAs基板のエッチピット密度(EPD)の測定方法
SEMI M36 - 低転位密度GaAs基板のエッチピット密度(EPD)の測定方法 セール価格Member Price: ¥135
Non-Member Price: ¥38,100
P01500 - SEMI P15 - 原子光分光法によるポジティブフォトレジスト・金属イオンフリー(MIF)漸減液中の吸湿とカリウムの測定