SEMI 3D14 - Guide for Incoming/Outgoing Quality control and Testing Fl – Page 18

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MS00900 - SEMI MS9 - Specification for High Density Permanent Connections Between Microfluidic Devices

SEMI MS9 - Specification for High Density Permanent Connections Between Microfluidic Devices

$300.00 USD

$193.00 USD

P03400 - SEMI P34 - 230mm方形フォトマスク基板の仕様

SEMI P34 - 230mm方形フォトマスク基板の仕様

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M07900 - SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100 mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様

SEMI M79 - 太陽電池用円盤状100 mm鏡面研磨単結晶ゲルマニウムウェーハの仕様

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M07300 - SEMI M73 - 測定したウェーハエッジプロファイルから直接的関連性ある特性を抽出するテスト方法

SEMI M73 - 測定したウェーハエッジプロファイルから直接的関連性ある特性を抽出するテスト方法

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M01500 - SEMI M15 - Polished Wafer Defect Limits Table for Semi-Insulating Gallium Arsenide Wafers

SEMI M15 - Polished Wafer Defect Limits Table for Semi-Insulating Gallium Arsenide Wafers

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G03300 - SEMI G33 - Specification for Pressed Ceramic Pin Grid Array Packages

SEMI G33 - Specification for Pressed Ceramic Pin Grid Array Packages

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C00357 - SEMI C3.57 - シリンダ中の電子的グレード二酸化炭素，CO2の仕様

SEMI C3.57 - シリンダ中の電子的グレード二酸化炭素，CO2の仕様

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M04900 - SEMI M49 - 130 nmから65 nmへの技術世代のシリコンウェーハ用ジオメトリ測定システム規定のためのガイド

SEMI M49 - 130 nmから65 nmへの技術世代のシリコンウェーハ用ジオメトリ測定システム規定のためのガイド

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F06200 - SEMI F62 - 周囲およびガス温度の影響からマスフローコントローラ性能特性を決定する試験方法

SEMI F62 - 周囲およびガス温度の影響からマスフローコントローラ性能特性を決定する試験方法

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G00800 - SEMI G8 - 金めっきの試験方法

SEMI G8 - 金めっきの試験方法

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F01500 - SEMI F15 - 筐体の試験方法（六フッ化硫黄のトレーサガス）のSEMI S6への移行

SEMI F15 - 筐体の試験方法（六フッ化硫黄のトレーサガス）のSEMI S6への移行

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M01200 - SEMI M12 - ウェーハ表面の連続英数字マーキングの仕様

SEMI M12 - ウェーハ表面の連続英数字マーキングの仕様

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M05000 - SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法

SEMI M50 - オーバーレイ法による走査型表面検査システム用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法

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D02200 - SEMI D22 - 平面顯示螢幕(FPD)彩色濾光片總成顏色透光度計算之測試法

SEMI D22 - 平面顯示螢幕(FPD)彩色濾光片總成顏色透光度計算之測試法

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G06800 - SEMI G68 - 空気環境における半導体パッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定の試験方法

SEMI G68 - 空気環境における半導体パッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定の試験方法

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G09400 - SEMI G94 - 300mmウェーハ用コインスタック型テープフレーム出荷容器の仕様

SEMI G94 - 300mmウェーハ用コインスタック型テープフレーム出荷容器の仕様

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M05200 - SEMI M52 - 130 nm，90nm，65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド

SEMI M52 - 130 nm，90nm，65nmおよび45nm技術世代シリコンウェーハ用走査型表面検査装置仕様のためのガイド

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M00900 - SEMI M9 - 鏡面単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様

SEMI M9 - 鏡面単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様

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P04600 - SEMI P46 - Specification for Critical Dimension (CD) Measurement Information Data on Photomask by XML

SEMI P46 - Specification for Critical Dimension (CD) Measurement Information Data on Photomask by XML

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P02800 - SEMI P28 - 集積回路製造用オーバーレイ計測テストパターン

SEMI P28 - 集積回路製造用オーバーレイ計測テストパターン

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P02600 - SEMI P26 - フォトレジストの感度測定用パラメータチェックリスト

SEMI P26 - フォトレジストの感度測定用パラメータチェックリスト

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M02400 - SEMI M24 - 鏡面単結晶プレミアムシリコンウェーハの仕様

SEMI M24 - 鏡面単結晶プレミアムシリコンウェーハの仕様

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P00900 - SEMI P9 - マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト（ガイドライン）

SEMI P9 - マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト（ガイドライン）

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F09800 - SEMI F98 - 半導体プロセスにおける用水再処理のためのガイド

SEMI F98 - 半導体プロセスにおける用水再処理のためのガイド

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