SEMI P24 - CD 보관함 -

Abstract

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반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

本stanダードは, Global Micropatterning Committeeで技術的に承認されたもので，North American Microlithography Committeeが直接責任を負うものである.現版は2004年7月11日 North American Regional Standards Committeeにて承認されている2004年9月にまずwww.semi.orgで入手可能になり，2004年11月発行に至る。初版は1994年発行。

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本文書の目的は露光－測長を行うにあたって，測長目的に対する統一的な手順を規定することである.どのように用いられるか，あるいはウェーハの熱処理，露光機の焦点調整，材料等のprosesparame-taに対する他の変動要因に関して重点を置くものではない.

本文書は特定用途－ IC製造における露光分野－に対する測定Systemの能力判断について述べる.本文章では大抵の場合,"we-ha"を"mask"to置き換えることにより， ICmask의 작업성にも適用できる。

処理済みウェーハに対する最終測定は電気特性であるといえよう。しかし，途中で露光に関する測定を行うことは最終的な電気特性を予測し，制御するうえで有用であるといえる.本文章の目的は使われている技術に関係なく，この露光－測長に関して有効に利用されることである.

測定結果tosystem能力は使用されたsanpl による。そこで異ったsystem，あるいは同一のsystemを異なった와 きに使用した場合の能力は，同一組成の三プルで得られた測定結果で比較されなければならない。

ここで述べる 파라메타は精度である.mata，他の重要な 파라메타は信頼性과 清浄度である.

참조된 SEMI 표준

SEMI E10 — 장비 신뢰성, 가용성 및 유지보수성(RAM)의 정의 및 측정을 위한 표준
SEMI P19 — 집적 회로 제조용 계측 패턴 셀 사양

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