SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 묘사하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드 -

Abstract

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실리콘 웨이퍼 벌크에 형성된 구조적 결함 성장하는 동안 또는 전자 장치 처리에 의해 유도되어 해당 웨이퍼에서 제작된 회로의 성능. 이러한 결함은 전위, 미끄러짐, 적층 결함, 얕은 구덩이 또는 침전물의 형태.

실리콘 웨이퍼에서 발견되는 다양한 결함의 노출은 종종 웨이퍼 품질을 평가하거나 잘못된 장치 구조의 오류 분석을 시작하는 첫 번째 중요한 단계입니다. 에칭은 종종 이 작업을 수행합니다. 이 가이드는 적절한 에칭 솔루션의 선택 및 적용에 대한 정보를 제공합니다.

이 가이드는 실리콘 웨이퍼의 구조적 결함을 밝히기 위해 개발된 화학 용액의 조성, 선택 및 사용을 다룹니다.

샘플 준비, 온도 제어, 에칭 기술 및 에칭액 선택은 모두 에칭 방법을 성공적으로 사용하는 데 중요한 요소입니다. 이 가이드는 여러 에칭 솔루션에 대한 정보를 제공하고 사용자가 필요에 따라 선택할 수 있는 지침을 제공합니다. 이러한 에칭 용액으로 얻은 결과의 그림은 그림 1에서 32까지 제공됩니다.

이 가이드는 다른 실습 및 테스트 방법과 함께 사용하기 위한 것입니다. SEMI MF1725 및 SEMI MF1726은 실리콘 잉곳 및 웨이퍼 각각에서 발견되는 에칭 솔루션을 사용합니다. 이 가이드에 따라 테스트 방법 SEMI에 따라 계산 MF1810. SEMI MF1727은 웨이퍼의 산화 절차를 정의합니다. 에칭 전에 결함 구조를 노출시키는 데 필요한 경우 관심. JIS H 0609는 전 공정을 망라하는 시험 방법입니다. 실리콘 웨이퍼의 결정 결함을 결정합니다.

이 가이드와 JIS H 0609는 모두 생물학적 및 생태학적으로 매우 위험한 크롬산을 포함하지 않는 에칭 용액의 사용을 강조합니다. 부식액을 함유한 크롬의 유해한 특성으로 인해 크롬산 함유 에칭액의 사용은 일부 관할권에서 금지됩니다. 세계 여러 곳에 위치하고 있습니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI C18 — 아세트산 사양

SEMI C28 — 불화수소산 사양

SEMI C35 — 질산 사양 및 가이드

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

SEMI MF523 — 비보조 육안 검사 실습 광택 실리콘 웨이퍼 표면

SEMI MF1725 - 실리콘 잉곳의 결정학적 완전성 분석 실습

SEMI MF1726 — 실리콘 웨이퍼의 결정학적 완벽도 분석 실습

SEMI MF1727 - 연마된 실리콘 웨이퍼에서 산화로 인한 결함 검출을 위한 실습

SEMI MF1810 — 실리콘 웨이퍼에서 우선적으로 에칭되거나 장식된 표면 결함을 계산하기 위한 테스트 방법

개정 내역

SEMI MF1809-1110 (재승인 0222)

SEMI MF1809-1110 (재승인 1115)

SEMI MF1809-1110(기술 개정)

SEMI MF1809-0704(기술 개정)

SEMI MF1809-02(SEMI 최초 발행)

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