SEMI MF1771 - 전압 램프 기술에 의한 게이트 산화물 무결성 평가를 위한 테스트 방법 -

Abstract

이 테스트 방법에 설명된 기술은 다음을 통해 산화물 완전성 데이터의 절차, 분석 및 보고를 표준화하기 위한 것입니다. 이해 당사자 간의 전압 램프 기술. 그러나 이후 값 테스트를 조작하는 과정과 완전히 분리할 수는 없습니다. 프로세스 요구 사항 및 구조 선택. 이 상관관계에는 샘플 크기뿐만 아니라 장치 기하학.

실리콘 웨이퍼에서 성장한 산화물의 전기적 무결성 측정은 용광로 및 기타 처리 단계의 품질을 모니터링하고 일부 처리 단계 변경의 영향을 판단하는 수단으로 사내에서 사용할 수도 있습니다.

다양한 모서리 및 면적 집약적 구조의 선택은 결함의 특성을 격리하는 데 중요합니다. 그러한 사용 기술 감지된 결함의 특성을 격리하는 구조는 범위를 벗어납니다. 이 테스트 방법.

실제 결과는 게이트 전극의 선택에 따라 다소 달라집니다. 폴리실리콘 게이트는 많은 경우 완제품과 동일하다는 장점이 있습니다. 폴리실리콘 게이트의 경우에도 정확한 결과는 폴리실리콘 두께, 도핑 및 시트 저항에 대해 선택한 값에 따라 달라집니다.

이 표준에 설명된 기술은 이해 당사자 간의 산화물 무결성 데이터의 측정, 분석 및 보고 절차를 표준화하기 위한 것입니다.

이 테스트 방법은 실제 장치 고장률 또는 승인/거부 기준과 관련하여 어떠한 진술도 하지 않습니다.

데이터 분석에 대한 몇 가지 제안이 이 테스트 방법의 뒷부분에 포함되어 있지만 결과 해석은 이 표준의 범위를 벗어납니다. 이러한 해석은 테스트 전에 이해 당사자 간에 합의되어야 합니다. 예를 들어, 소위 고유 및 외부 산화물 파손을 분리할 수 있도록 다양한 파손 기준이 포함됩니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI M51 — 게이트 산화물 무결성으로 실리콘 웨이퍼를 특성화하기 위한 테스트 방법

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

개정 내역

SEMI MF1771-0416 (재승인 1121)

SEMI MF1771-0416(기술 개정)

SEMI MF1771-1110(기술 개정)

SEMI MF1771-0304(기술 개정)

SEMI MF1771-97(2002년 재승인)(SEMI 최초 발행)

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