SEMI MF1530 - 자동화된 비접촉 스캐닝에 의한 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 전체 두께 편차 측정을 위한 테스트 방법 -

Abstract

이 표준은 Silicon Wafer Global Technical Committee에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 에디션은 2018년 8월 17일 글로벌 감사 및 검토 소위원회에서 출판 승인을 받았습니다. 2018년 10월 www.semiviews.org 및 www.semi.org에서 제공됩니다. 원래 ASTM International에서 ASTMvF1530-94로 발표했습니다. 이전에 게시된 2012년 5월.

평탄도, 두께 및 두께 편차는 반도체 장치 공정의 수율에 영향을 미치는 중요한 요소입니다.

이러한 특성에 대한 지식은 표본 웨이퍼의 치수 특성이 주어진 기하학적 요구 사항을 충족하는지 생산자와 소비자가 결정하는 데 도움이 될 수 있습니다.

이 테스트 방법은 슬라이스, 래핑, 에칭, 연마, 에피택셜 또는 기타 레이어 상태에서 반도체 장치 처리에 사용되는 웨이퍼의 평탄도 및 두께를 측정하는 데 적합합니다.

이 테스트 방법은 물리적 기준이 필요하지 않은 방식으로 깨끗하고 건조한 반도체 웨이퍼의 두께와 편평도를 결정하기 위한 비접촉 비파괴 절차를 다룹니다.

이 테스트 방법은 두께 변화, 표면 마감 및 웨이퍼 모양과 관계없이 직경이 50mm 이상이고 두께가 약 100μm(0.004인치) 이상인 웨이퍼에 적용할 수 있습니다.

이 테스트 방법은 물의 뒷면이 이상적으로 깨끗하고 평평한 척 위로 당겨졌을 때와 같이 이상적으로 평평할 때 지정된 기준 평면에 상대적으로 나타나는 전면 웨이퍼 표면의 평탄도를 측정합니다. 웨이퍼의 자유 형태 형상은 측정하지 않습니다.

척이 측정 기준으로 사용되지 않기 때문에 이 테스트 방법은 웨이퍼 후면의 미세한 입자에 상대적으로 둔감합니다.

SI 단위로 표시된 값이 표준으로 간주됩니다. 괄호 안의 값은 정보용입니다.

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨을 측정하는 테스트 방법

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