SEMI MF1451 - 자동화된 비접촉 스캐닝에 의한 실리콘 웨이퍼 상의 소리 측정을 위한 테스트 방법 -

Abstract

소리는 반도체 소자 공정의 수율에 큰 영향을 미칠 수 있습니다.

이 특성에 대한 지식은 표본 웨이퍼의 치수 특성이 주어진 기하학적 요구 사항을 충족하는지 생산자와 소비자가 결정하는 데 도움이 될 수 있습니다.

처리 중 웨이퍼 소리의 변화는 후속 처리 및 처리 단계에 악영향을 미칠 수 있습니다. 이러한 변경 사항은 중요한 프로세스 모니터링 기능을 제공할 수도 있습니다.

이 테스트 방법은 슬라이스, 랩핑, 에칭, 연마, 에피택셜 또는 기타 레이어 상태에서 반도체 장치 처리에 사용되는 웨이퍼의 소리를 측정하고 장치 처리 중에 웨이퍼의 소리에 대한 열 및 기계적 영향을 모니터링하는 데 적합합니다.

이 시험 방법은 비접촉식, 비파괴식 깨끗하고 건조한 반도체 웨이퍼의 소리를 결정하는 절차.

이 테스트 방법은 웨이퍼의 두 외부 표면을 동시에 검사하는 2개의 프로브 시스템을 사용합니다.

테스트 방법은 두께 변화와 표면 마감, 중력에 의해 유발된 웨이퍼 왜곡과 관계없이 직경이 50mm 이상이고 두께가 약 100μm 이상인 웨이퍼에 적용할 수 있습니다.

이 테스트 방법은 평탄도를 측정하기 위한 것이 아닙니다. 노출된 실리콘 표면. 소리는 왜곡의 척도입니다. 웨이퍼 전면.

이 테스트 방법은 테스트 중에 적용된 기계적 힘에 대해 수정된 웨이퍼의 소리를 측정합니다. 따라서 설명된 절차는 소리의 제약 없는 가치를 제공합니다.

이 테스트 방법에는 웨이퍼의 모양을 변경할 수 있는 중력으로 인한 편향을 취소하기 위한 여러 가지 방법이 포함되어 있습니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 두께 편차를 측정하는 테스트 방법

개정 내역

SEMI MF1451-0707 (재승인 0421)

SEMI MF1451-0707 (재승인 0319)

SEMI MF1451-0707 (재승인 0512)

SEMI MF1451-0707(기술 개정)

SEMI MF1451-1104(기술 개정)

SEMI MF1451-0704(기술 개정)

SEMI MF1451-92(1999년 재승인)(SEMI 최초 발행)

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