SEMI MF1392 - 수은 ​​프로브를 사용한 커패시턴스-전압 측정을 통해 실리콘 웨이퍼의 순 캐리어 밀도 프로파일을 결정하기 위한 테스트 방법 -

Abstract

이 표준은 Silicon Wafer Global Technical Committee에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 에디션은 2018년 2월 1일에 글로벌 감사 및 검토 소위원회의 출판 승인을 받았습니다. 2018년 7월에 www.semiviews.org 및 www.semi.org에서 볼 수 있습니다. 원래 ASTM International에서 ASTM F1392-92로 발표했습니다. 이전에 게시된 2012년 5월.

순 캐리어 밀도는 실리콘의 에피택셜 층 성장에 중요한 매개변수입니다. 이 테스트 방법은 레이어에 특수한 다이오드 구조를 형성하지 않고 순수 캐리어 밀도를 결정하는 수단을 제공합니다. 또한 연마된 실리콘 웨이퍼의 순 캐리어 밀도를 특성화하는 데 사용할 수도 있습니다.

이 테스트 방법은 연구 개발, 프로세스 제어, 재료 사양, 평가 및 승인 목적으로 사용할 수 있습니다.

재현성을 확립하기 위한 실험실 간 테스트 데이터가 없는 경우(¶14.2 참조), 이 테스트 방법은 테스트 당사자가 재현성과 상관 관계를 확립한 후에만 재료 사양 및 승인에 사용되어야 합니다.

이 테스트 방법은 약 4 × 1013 ~ 약 8 × 1016 carriers/cm -3 범위 (약 0.1 ~ 약 100 Ω의 저항 범위) 에서 에피택셜 및 연마된 벌크 실리콘 웨이퍼의 순 캐리어 밀도 및 순 캐리어 밀도 프로파일 측정을 다룹니다. · n 형 웨이퍼에서 cm, p 형 웨이퍼에서 약 0.24에서 약 330Ω·cm).

이 테스트 방법은 에피택셜 또는 연마된 웨이퍼 표면에 수은 프로브 접촉이 있는 쇼트키 배리어 다이오드를 형성해야 합니다. 신뢰할 수 있는 쇼트키 배리어 다이오드를 생산하려면 실리콘 표면의 화학적 처리가 필요할 수 있습니다. 표면 처리 화학은 n 형 및 p 형 웨이퍼에 따라 다릅니다. 이 테스트 방법은 때때로 웨이퍼 표면에 형성된 쇼트키 접촉으로 인한 오염 가능성으로 인해 파괴적인 것으로 간주됩니다. 그러나 동일한 시험편에 대해 반복 측정을 할 수 있습니다.

이 테스트 방법은 동일하거나 반대 전도도 유형 기판의 에피택셜 층에 적용될 수 있습니다. 이 테스트 방법에는 절연 백씰 레이어가 있거나 없는 기판을 측정하기 위한 고정 장치에 대한 설명이 포함되어 있습니다.

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