SEMI MF1389 - III-V 불순물에 대한 단결정 실리콘의 광발광 분석을 위한 테스트 방법 -

Abstract

전자 등급 다결정 실리콘 생산자와 사용자는 품질 보증을 위해 불순물에 대한 정보를 필요로 합니다. 연구 개발 목적으로. 폴리실리콘은 플로팅 존이며 샘플 불순물을 얻기 위해 이 테스트 방법에 따라 구역화된 막대에서 분석됩니다. 출발 물질의 불순물 함량과 관련될 수 있는 밀도.

Photoluminescence 분석은 단결정 실리콘에서 전기 활성 도펀트 불순물을 식별하고 정량화합니다. 이 테스트 방법은 전자 등급 실리콘에서 불순물로 발견되는 붕소, 인, 비소 및 알루미늄을 다룹니다.

이 테스트 방법은 도핑 및 도핑되지 않은 플로트 존 또는 Czochralski 재료에 적용될 수 있습니다.

이 테스트 방법은 저전위 단결정 실리콘의 전기 활성 붕소, 인, 비소 및 알루미늄 함량을 동시에 측정하는 방법을 다룹니다.

이 테스트 방법은 도펀트 밀도가 약 1 × 1011 ~ 약 5 × 1015 atom/ ^cm3 인 샘플에 사용할 수 있습니다.

이 테스트 방법을 사용하여 얻은 농도는 경험적으로 결정된 농도의 대수 관계를 기반으로 합니다. 특정 발광 라인 강도 비율의 로그에.

확립된 경험적 관계는 주어진 기기의 모든 측정에 대해 일정한 샘플 여기 수준을 가정합니다.

계측의 차이점을 수용하기 위해 두 가지 방법이 포함됩니다. 테스트 방법 A는 높은 샘플 여기 조건에서 작동하는 분산 적외선 분광 광도계에 적합한 절차를 나타내고 테스트 방법 B는 낮은 여기 조건에서 작동하는 푸리에 변환 기기에 적합한 절차를 나타냅니다.

각 테스트 방법에 대한 일반적인 교정 곡선이 제공됩니다. 이러한 곡선은 표준 샘플 분석을 참조 데이터로 사용하여 각 기기에 대해 수정됩니다. 일단 수정되면 주어진 기기의 곡선은 동일한 테스트 방법을 사용하여 유사하게 작동하는 다른 기기와 일치하는 샘플 도펀트 밀도 값을 생성해야 합니다. 테스트 방법 A를 사용하여 얻은 데이터는 테스트 방법 B를 사용하여 얻은 데이터와 일치하지 않을 수 있으므로 사용된 테스트 방법을 참조하여 값을 보고해야 합니다.

많은 실험실에서 광발광을 사용하여 에피택셜 레이어를 분석합니다. 그러나 이 응용 프로그램은 많은 변수에 직면하고 기본 물리학은 완전히 이해되지 않습니다. 따라서 이러한 테스트 방법은 그러한 분석에 관한 표준 관행을 설명하려고 시도합니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI C28 — 불화수소산 사양

SEMI C30 — 과산화수소 사양

SEMI C35 — 질산 사양 및 가이드

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

SEMI MF723 - 붕소 도핑, 인 도핑 및 비소 도핑 실리콘에 대한 비저항과 도펀트 또는 캐리어 밀도 간 변환 실습

SEMI MF1630 — III-V 불순물에 대한 단결정 실리콘의 저온 FT-IR 분석을 위한 테스트 방법

SEMI MF1723 - 부동 영역 결정 성장 및 분광법에 의한 다결정 실리콘 막대 평가 실습

개정 내역

SEMI MF1389-1115 (재승인 0222)

SEMI MF1389-1115(기술 개정)

SEMI MF1389-1110(기술 개정)

SEMI MF1389-0704(기술 개정)

SEMI MF1389-00(SEMI 최초 공개)

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