
SEMI MF1239 - 침입형 산소 환원 측정에 의한 실리콘 웨이퍼의 산소 석출 특성 시험 방법 -
Abstract
대량의 실리콘 웨이퍼에 있는 산화 침전물은 회로 및 장치 제조 중에 유입될 수 있는 오염에 대한 게터링 사이트 역할을 할 수 있습니다. 이 오염(일반적으로 금속 불순물)은 제거되지 않으면 장치 제조 수율을 감소시키고 장치 또는 회로 성능을 저하시킬 수 있습니다. 따라서 실리콘 웨이퍼의 산소 침전 특성은 수율과 성능 모두에 상당한 영향을 미칠 수 있습니다.
격자간 산소 농도가 중요하지만 실리콘에서 발생하는 산소 침전량에 영향을 미치는 인자 특정 열 사이클 동안 다음과 같은 다른 불순물의 존재 탄소 또는 질소, 도펀트 유형 및 밀도의 차이, 열 결정의 이력 또는 결함 특성도 침전에 영향을 줄 수 있습니다. 형질. 따라서 특정 재료를 선택해야 하는 경우가 많습니다. 원하는 침전 특성을 얻기 위한 특성 및 준비 기술 특정 응용 프로그램의 경우.
이 테스트 방법은 두 개 이상의 실리콘 웨이퍼 그룹의 산소 감소를 비교하는 데 사용할 수 있습니다. 이 테스트 방법은 특정 공통 장치 처리 주기를 시뮬레이션하는 열 주기를 기반으로 합니다.
주기 A - 1단계 침전 주기는 받은 그대로의 웨이퍼에 존재하는 기본 핵 생성 위치를 나타냅니다.
사이클 B — 2단계 핵형성-침전 사이클로 일반적인 n-MOS 장치 처리에서 발생하는 침전을 시뮬레이션합니다.
이들 시험 방법은 2개 이상의 웨이퍼 그룹의 석출 특성을 정성적으로 비교하기 위해 사용될 수 있다.
이 테스트 방법은 또한 다음을 결정하는 데 사용될 수 있습니다. 웨이퍼 전체에 걸친 산소 감소의 균일성(SEMI MF951과 함께) 또는 로트 내에서 웨이퍼에서 웨이퍼로.
범위
이러한 테스트 방법은 실리콘 웨이퍼의 산소 침전 특성을 테스트하기 위한 보완 절차를 다룹니다. 강수 특성은 지정된 열 주기 동안 손실된 격자간 산소의 양과 관련이 있다고 가정합니다.
이러한 테스트 방법은 두께, 저항률 및 표면 마감이 산소 농도를 결정할 수 있는 것과 같은 모든 방향의 모든 n형 또는 p형 초크랄스키 실리콘 웨이퍼에 적용될 수 있습니다. 적외선 흡수에 의해 산소 농도가 생성되는 것과 같습니다. 측정 가능한 산소 손실.
이러한 테스트 방법은 기본적으로 산화물 석출물이 없는 웨이퍼 표면 근처의 영역인 'denuded zone'의 폭 또는 특성을 결정하는 데 적합하지 않습니다.
이러한 테스트 방법은 파괴적이기 때문에 적절한 샘플링 기술을 사용해야 합니다.
실제 장치의 재료 성능 결정 제작 상황은 이러한 방법의 범위를 벗어납니다. 그러나 비교하여 실제 장치 수율 및 성능, 기준을 사용한 이러한 테스트 결과 특정 재료 특성의 선택을 위해 설정할 수 있습니다.
SI 단위로 표시된 값이 표준으로 간주됩니다.
참조 SEMI 표준 (별도 구매)
SEMI C28 — 불화수소산 사양
SEMI C29 — 4.9% 불산에 대한 사양 및 가이드 산성 10:1 v/v
SEMI C54 — 산소 사양 및 지침
SEMI C59 — 질소 사양 및 지침
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF951 — 방사형 침입형 산소 변화 실리콘 웨이퍼 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1188 - 짧은 기준선으로 적외선 흡수에 의한 실리콘의 격자간 원자 산소 함량에 대한 테스트 방법
SEMI MF1619 — 간극 측정을 위한 테스트 방법 p-편광 적외선 흡수 분광법에 의한 실리콘 웨이퍼의 산소 함량 브루스터 각도에서의 방사선 사고
개정 내역
SEMI MF1239-0305 (재승인 0222)
SEMI MF1239-0305 (재승인 0416)
SEMI MF1239-0305 (재승인 0211)
SEMI MF1239-0305(기술 개정)
SEMI MF1230-02(SEMI 최초 공개)
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