SEMI MF1153 - 커패시턴스-전압 측정에 의한 금속 산화물 실리콘(MOS) 구조의 특성화를 위한 테스트 방법 -

Abstract

실리콘 산화물 인터페이스 근처에 존재하는 순 캐리어 밀도는 중요한 수용 요구 사항을 구성할 수 있습니다. 반대 전도성 유형의 불순물에 의한 상당한 보상이 없는 경우 재료 저항률은 SEMI MF723을 사용하여 이 캐리어 밀도에서 결정될 수 있습니다.

플랫밴드 전압은 MOS 소자 제조에서 중요한 매개변수입니다. 그 값은 실리콘과 금속 전계판 사이의 일함수 차이, 계면 포획 전하, 산화물 내에 분포된 고정 또는 포획 전하에 따라 달라집니다. 이러한 값의 이상 징후를 나타낼 수 있습니다.

상승된 온도에서 전압 스트레스를 받는 MOS 구조의 플랫밴드 전압의 불안정성은 산화물 내의 이동 이온 전하 밀도의 척도입니다. 대부분의 장치 응용 프로그램은 모바일 이온 전하를 최소화해야 합니다.

원하지 않는 지하 pn 접합의 존재는 장치 작동에 해로운 영향을 미칠 수 있습니다.

이 테스트 방법은 퍼니스 또는 기타 반도체 장치 처리 장비의 인증에 사용할 수 있습니다. 모바일 이온 전하 밀도.

이 테스트 방법은 플랫밴드 정전 용량, 플랫밴드 전압, 반도체-산화물 인터페이스의 공핍 길이 내 평균 캐리어 밀도, 고온에서 전압 스트레스를 적용한 후 플랫밴드 전압의 변위, 모바일에 대한 금속 산화물 실리콘(MOS) 구조 측정을 다룹니다. 이온 전하 오염 및 총 고정 전하 밀도. 또한 벌크 또는 에피택셜 실리콘의 표면 아래 영역에서 pn 접합의 존재를 감지하는 절차도 다룹니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

SEMI MF576 — 엘립소메트리에 의한 실리콘 기판의 절연체 두께 및 굴절률 측정을 위한 테스트 방법

SEMI MF723 - 붕소 도핑, 인 도핑 및 비소 도핑 실리콘에 대한 비저항과 도펀트 또는 캐리어 밀도 간 변환 실습

개정 내역

SEMI MF1153-1110 (재승인 0222)

SEMI MF1153-1110 (1015 재승인)

SEMI MF1153-1110(기술 개정)

SEMI MF1153-1106(기술 개정)

SEMI MF1153-92(2002년 재승인)(SEMI 최초 발행)

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