SEMI MF1049 - 실리콘 웨이퍼의 Shallow Etch Pit 검출 실습 -

Abstract

높은 수준의 에치 피트는 웨이퍼 처리에 유해한 금속 오염을 나타내는 것으로 보고됩니다. 이는 웨이퍼 표면의 에칭 피트 밀도에서 추론할 수 있습니다.

　

이 방법은 실리콘 에피택셜 또는 연마된 웨이퍼 표면 근처의 금속 불순물 수준과 관련될 수 있는 얕은 에칭 피트를 감지하는 데 사용됩니다.

 

이 실습은 p 또는 n 유형으로 도핑되고 저항이 0.005Ω× cm로 낮은 실리콘 웨이퍼에서 얕은 에칭 피트의 고밀도 감지를 다룹니다. 이 방법은 (111) 또는 (100) 결정 방향으로 성장한 결정에서 절단된 실리콘 웨이퍼에 적용됩니다.

　

이 방법은 결함 밀도 평가에 사용하는 것이 아니라 연마 또는 에피택셜 웨이퍼 표면의 결함 밀도 및 분포를 추정하는 주관적인 수단으로 사용하는 것이 좋습니다.

　

이 실습은 얕은 에칭 피트를 생성한 다음 윤곽을 그리기 위해 화학적 우선 에칭액이 뒤따르는 열 산화 공정을 활용합니다.

　

참조된 SEMI 표준

SEMI C28 — 불화수소산 사양 및 가이드
SEMI C54 — 산소 사양
SEMI C59 — 질소 사양
SEMI M17 — 범용 웨이퍼 그리드 가이드
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF1726 — 실리콘 웨이퍼의 결정학적 완벽도 분석 실습
SEMI MF1727 - 연마된 실리콘 웨이퍼에서 산화로 인한 결함 검출을 위한 실습
SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 기술하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드
SEMI MF1810 — 실리콘 웨이퍼에서 우선적으로 에칭되거나 장식된 표면 결함을 계산하기 위한 테스트 방법

Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.