SEMI MF978 - 과도 커패시턴스 기술로 반도체 딥 레벨을 특성화하기 위한 테스트 방법 -

Abstract

ITCAP(isothermal transient capacitance) 및 DLTS와 같은 심층 결함 측정 기술은 자유 캐리어를 포획하고 열 방출에 의해 다시 방출하는 전기적 활성 결함의 기능을 활용합니다.

전체 방출률에 대해 유사한 표현을 쓸 수 있습니다. 온도의 함수로서 테스트 장치의 공핍층에서 측정된 열 방출률을 분석하면 존재하는 결함의 활성화 에너지 및 효과적인 캡처 단면이 생성됩니다. 방출과 관련된 커패시턴스 변화의 크기는 존재하는 결함의 밀도와 관련될 수 있습니다. 반도체의 깊은 레벨 측정에 대한 관심은 다음 두 가지 관련 측면에서 비롯됩니다.

• 원치 않는 고유 또는 공정 유도 불순물 또는 결함의 감지, 식별 및 제어 그리고
• 수명 또는 기타 매개변수 제어를 위해 특별히 도입된 불순물의 특성화 및 제어.

이 테스트 방법은 밀도, 활성화 에너지 및 과도 정전 용량 기술에 의한 반도체 공핍 영역의 심부 결함 중심 방출률에 대한 지수 표현의 프리팩터를 결정하기 위한 세 가지 절차를 다룹니다.

• 절차 A는 온도를 천천히 스캔하고 지수적 정전 용량 과도 현상을 가정하는 기존의 정전압 DLTS(deep-level transient spectroscopy) 기술입니다.
• 절차 B는 과도한 트랩 도핑 및 공핍 영역의 불완전한 충전으로 인한 비지수 과도 현상을 보정하는 기존 DLTS(절차 A)입니다.
• 절차 C는 일련의 등온 과도 측정을 사용하고 절차 B와 동일한 오류 원인을 수정하는 보다 정확한 심판 기술입니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF1392 — 수은 프로브를 사용한 커패시턴스-전압 측정을 통해 실리콘 웨이퍼의 순 캐리어 밀도 프로파일을 결정하는 테스트 방법

개정 내역
SEMI MF978-1106 (재승인 0622)
SEMI MF978-1106 (재승인 0317)
SEMI MF978-1106(기술 개정)
SEMI MF978-02(SEMI 최초 공개)

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