SEMI MF951 - 실리콘 웨이퍼의 방사형 침입형 산소 변화 측정을 위한 테스트 방법 -

Abstract

산소의 존재는 공정 유발 물질의 형성을 방지하여 특정 제조 작업에 도움이 될 수 있습니다. 결함. 이것이 사실이라면 산소가 중요해집니다. 전체 슬라이스에 균일하게 분포되어야 합니다.

다양한 요구 사항을 충족하기 위해 여러 테스트 계획이 포함되어 있습니다. 결정 내 산소 농도 분포의 특징적인 모양과 크기는 결정 성장 과정의 함수입니다. 지정된 테스트 계획은 일반적으로 발견되는 산소 농도 분포를 다루기 위한 것이지만 다른 분포가 발생할 수도 있습니다. 이러한 경우 분포 패턴을 적절하게 설명하기 위해 지정된 위치 이외의 테스트 위치를 사용해야 할 수 있습니다.

이 테스트 방법은 프로세스 제어, 연구 개발 및 재료 승인 목적으로 사용될 수 있습니다. 이 테스트 방법의 정밀도에 대한 실험실 간 평가가 없는 경우 관련 당사자가 예상할 수 있는 상관 정도를 설정하지 않는 한 재료 승인을 위한 사용은 권장되지 않습니다.

이 테스트 방법은 마이크로 전자 반도체 장치의 제조에 일반적으로 사용되는 실리콘 슬라이스의 침입형 산소 농도의 방사형 변화에 대한 테스트 사이트 선택 및 데이터 축소 절차를 다룹니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법

SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법

SEMI MF1188 - 짧은 기준선으로 적외선 흡수에 의한 실리콘의 격자간 산소 함량에 대한 테스트 방법

SEMI MF1366 — 2차 이온 질량 분석법으로 고농도 도핑된 실리콘 기판의 산소 농도 측정을 위한 테스트 방법

SEMI MF1619 — p-편광을 사용한 적외선 흡수 분광법에 의한 실리콘 웨이퍼의 격자간 산소 함량 측정을 위한 테스트 방법 브루스터 각도에서의 방사선 사고

개정 내역

SEMI MF951-0305 (재승인 0222)

SEMI MF951-0305 (재승인 0316)

SEMI MF951-0305 (재승인 0211)

SEMI MF951-0305(기술 개정)

SEMI MF951-02(SEMI 최초 발행)

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