SEMI MF673 - 비접촉 와전류 게이지로 반도체 웨이퍼의 비저항 또는 반도체 필름의 시트 저항을 측정하기 위한 테스트 방법 -

Abstract

비저항은 반도체 전자 장치에 사용되는 재료의 특성화 및 사양에 대한 기본 수량입니다. 시트 저항은 박막 제조 공정의 특성화, 사양 및 모니터링을 위한 기본 수량입니다.

이 테스트 방법은 특히 구매자-판매자 인터페이스에서 사용하기 위해 이러한 기기를 설정하고 교정하기 위한 요구 사항뿐만 아니라 반도체 기판 및 이러한 기판에서 제조된 특정 박막과 관련된 와전류 측정의 원리를 설명합니다.

와전류 기기는 시료의 컨덕턴스를 직접 측정합니다. 시트 저항 및 저항 값은 측정된 컨덕턴스로부터 계산되며, 저항 값은 시편 두께 측정도 필요합니다.

이 테스트 방법은 실리콘 및 특정 갈륨-비소 웨이퍼의 벌크 저항과 비접촉 와전류를 사용하여 웨이퍼 중심점에서 제한된 범위의 기판에 제조된 실리콘 또는 갈륨-비소 박막의 시트 저항의 비파괴 측정을 다룹니다. 계량기.

이 테스트 방법은 현재 단결정 및 다결정 실리콘 및 외부 전도성 갈륨-비소 벌크 시편 또는 상대적으로 높은 저항 기판에서 제조된 실리콘 또는 갈륨-비소 박막으로 제한되지만 원칙적으로 다른 반도체 재료를 포함하도록 확장될 수 있습니다.

이 표준에서는 두 가지 테스트 방법을 다룹니다.

• 방법 I은 교정 ​​표준 값의 넓은 범위(2 디케이드)에 걸쳐 선형성 및 기울기 한계(±1 디지트)에 대한 장치의 적합성을 확인합니다. 광범위한 샘플 값에 대해 장치를 사용할 수 있는 자격을 부여합니다.
• 방법 II는 값이 좁게 분리된(일반적으로 예상 샘플 범위 중앙값의 ±25%) 교정 표준 사이의 기기 선형성을 가정합니다. 방법 II는 값 오프셋과 저항의 온도 계수에 대해 모든 측정값을 신속하고 자동으로 수정할 수 있는 컴퓨터 기반 시스템에 특히 적합합니다.

이러한 방법은 보정 기술, 샘플 측정 값 범위, 데이터 수정 기술 및 표 1에 표시된 기기의 적합성이 다릅니다. 두 방법 모두 시트 또는 벌크 시편에 적용될 수 있습니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF84 — 인라인 4점 프로브로 실리콘 웨이퍼의 비저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF374 — 단일 구성 절차로 인라인 4점 프로브를 사용하여 실리콘 에피택셜, 확산, 폴리실리콘 및 이온 주입 층의 시트 저항 테스트 방법
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF1527 - 실리콘 저항률 측정 기기의 교정 및 제어를 위한 인증된 기준 물질 및 기준 웨이퍼 적용 가이드

개정 내역
SEMI MF673-1105 (재승인 0622)
SEMI MF673-0317(기술 개정)
SEMI MF673-1014(기술 개정)
SEMI MF673-1105 (재승인 0611)
SEMI MF673-1105(기술 개정)
SEMI MF673-02(SEMI 최초 발행)

Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.