SEMI MF525 - 확산 저항 프로브를 사용하여 실리콘 웨이퍼의 비저항 측정을 위한 테스트 방법 -

Abstract

이 표준은 Silicon Wafer Global Technical Committee에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 에디션은 2018년 2월 1일에 글로벌 감사 및 검토 소위원회의 출판 승인을 받았습니다. 2018년 7월에 www.semiviews.org 및 www.semi.org에서 볼 수 있습니다. ASTM International에서 ASTM F525-77T로 발행한 원본판; 이전에 2012년 3월에 게시되었습니다.

알림: 이 문서는 약간의 편집 변경을 거쳐 재승인되었습니다.

이 테스트 방법은 기판 또는 유효 전기 접촉 반경의 20배보다 큰 두께의 에피택셜 층의 저항률을 직접 결정하기 위한 수단을 제공합니다. SEMI MF84, SEMI MF374 및 SEMI MF1392와 달리, 이는 수 마이크로미터 정도의 저항률의 측면 공간 분해능을 제공할 수 있습니다.

이 테스트 방법은 주로 프로세스 제어, 연구 및 개발 응용 프로그램에 사용하기 위한 것입니다. 실험실 정밀 데이터가 없는 경우 당사자 간에 상관 관계 실험이 수행되지 않는 한 이 테스트 방법은 공급업체와 고객 간에 사용하지 않는 것이 좋습니다.

이 테스트 방법은 알려진 방향 및 유형의 실리콘 기판 또는 동일한 유형 또는 반대 유형의 기판에 증착된 알려진 방향 및 유형의 균일한 실리콘 에피택셜 층의 저항률 측정을 다룹니다. 유효 프로브 접촉 반경에 대한 층 두께의 비율이 20보다 크면 에피택셜 필름의 비저항을 박막 보정 계수 없이 평가할 수 있습니다.

이 테스트 방법은 알려지지 않은 시편의 저항이 측정된 퍼짐 저항을 알려진 저항의 교정 표준과 비교하여 결정된다는 점에서 비교입니다. 이러한 교정 표준은 미지의 시편과 동일한 표면 마감, 전도성 유형 및 방향을 가져야 합니다.

이 테스트 방법은 실리콘 기판 및 에피택시층에 사용하기 위한 것입니다. 실험실 내 정밀도는 저항률이 0.01~200Ω·cm인 기판에 대한 여러 실험실 실험을 통해 결정되었습니다.

참조된 SEMI 표준

SEMI E89 — 측정 시스템 분석(MSA) 가이드
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도도 유형 테스트 방법
SEMI MF84 — 인라인 4포인트 프로브로 실리콘 슬라이스의 비저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF95 — 적외선 분산 분광 광도계를 사용하여 강하게 도핑된 실리콘 기판의 약하게 도핑된 실리콘 에피택셜 층의 두께에 대한 테스트 방법
SEMI MF110 — 앵글 랩핑 및 염색 기법에 의한 실리콘의 에피택셜 또는 확산층 두께 테스트 방법
SEMI MF374 - 단일 구성 절차로 인라인 4점 프로브를 사용하여 실리콘 에피택셜, 확산 폴리실리콘 및 이온 주입층의 면저항 테스트 방법
SEMI MF1392 — 수은 프로브로 커패시턴스-전압 측정을 통해 실리콘 웨이퍼의 순 캐리어 밀도 프로파일을 결정하는 테스트 방법

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