SEMI MF84 - 인라인 4점 프로브로 실리콘 웨이퍼의 비저항을 측정하는 테스트 방법 -

Abstract

이 표준은 Silicon Wafer Global Technical Committee에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 에디션은 2018년 2월 1일에 글로벌 감사 및 검토 소위원회의 출판 승인을 받았습니다. 2018년 7월에 www.semiviews.org 및 www.semi.org에서 볼 수 있습니다. 원래 ASTM International에서 ASTM F84-67T로 발표했습니다. 이전에 2012년 3월에 게시되었습니다.

실리콘 웨이퍼의 저항률은 중요한 재료 수용 요구 사항입니다.

이 테스트 방법으로 측정한 비저항 값은 반도체 IC 및 기타 전자 장치의 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼의 특성화 및 사양을 위한 기본 수량입니다.

이 테스트 방법은 인라인 4포인트 프로브를 사용하여 실리콘 웨이퍼의 저항률 측정을 다룹니다. 이 테스트 방법은 실리콘 웨이퍼의 실온 저항을 실험실 간 비교할 수 있는 절차를 설명합니다. 예상할 수 있는 정밀도는 웨이퍼의 저항률과 웨이퍼의 균질성에 따라 달라집니다. 실온(23°C) 저항이 0.0008 ~ 2000Ω·cm인 p 형 웨이퍼 와 실온(23°C) n 형 웨이퍼 에서 측정에 대한 예상 정밀도를 설정하기 위해 라운드 로빈 테스트가 수행되었습니다. 0.0008 ~ 6000 Ω· cm의 저항률.

이 테스트 방법은 직경이 16mm(0.625인치)보다 크고 두께가 1.6mm(0.0625인치) 미만인 원형 웨이퍼 형태의 실리콘 단결정에 사용하기 위한 것입니다. 이러한 측정에 필요한 기하학적 보정 계수는 표 형식으로 제공됩니다.

시편을 준비하고 크기를 측정하고 측정하는 동안 시편의 온도를 결정하는 절차도 제공됩니다.

이 테스트 방법에는 프로브 헤드와 전기 측정 장치를 모두 확인하는 절차가 포함되어 있습니다.

4개의 탐침 팁 사이의 간격은 연마된 실리콘 표면의 탐침 팁에 의해 만들어진 압흔을 측정하여 결정됩니다. 이 테스트는 프로브 팁의 상태를 확인하는 데에도 사용됩니다.

전기 측정 장비의 정확도는 프로브 팁과 반도체 표면 사이의 접점에서 저항을 시뮬레이션하는 다른 저항과 함께 알려진 표준 저항을 포함하는 아날로그 회로를 통해 테스트됩니다.

이 테스트 방법에 명시된 전류 레벨, 프로브 힘 및 시편 표면 준비는 벌크 실리콘 웨이퍼에 대한 모든 심판 측정에 선호됩니다. 그러나 이러한 조건의 많은 변경은 측정 결과의 심각한 변경 없이 비심판 애플리케이션에 대해 이루어질 수 있습니다.

적절한 계산을 편리하게 수행할 수 있도록 저항률의 함수로서의 온도 계수 표와 원형 웨이퍼 형상에 적합한 보정 계수의 약식 표가 테스트 방법에 포함되어 있습니다.

이 테스트 방법은 SEMI MF43보다 우선적으로 단결정 실리콘 웨이퍼의 비저항을 결정하기 위한 참조 방법으로 사용됩니다.

SI 단위로 표시된 값이 표준으로 간주됩니다. 괄호 안의 모든 값은 정보용입니다.

참조된 SEMI 표준

SEMI C19 — 아세톤 사양
SEMI C28 — 불화수소산 사양 및 가이드
SEMI C31 — 메탄올 사양
SEMI C35 — 질산 사양 및 가이드
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도도 유형 테스트 방법
SEMI MF43 - 반도체 재료의 비저항 테스트 방법
SEMI MF1527 - 실리콘 저항률 측정 기기의 교정 및 제어를 위한 인증된 기준 물질 및 기준 웨이퍼 적용 가이드
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드

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