SEMI M76 - 개발용 450mm 직경 연마 단결정 실리콘 웨이퍼용 사양 -

Abstract

이 표준은 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 개정판은 2010년 4월 30일 글로벌 감사 및 검토 소위원회의 출판 승인을 받았습니다. 2010년 6월에 www.semi.org에서 처음 사용할 수 있습니다.

이 사양에서 다루는 개발 웨이퍼는 450mm 직경의 단결정 실리콘 웨이퍼에 고밀도 집적 회로를 제조하는 데 필요한 프로세스 및 계측 장비 및 제조 프로세스의 연구 개발에 사용하기 위한 것입니다. 또한 직경 450mm의 회로 품질(프라임) 웨이퍼에 대한 치수 사양을 지원하는 데 필요한 기술 및 계측을 확립하는 데 사용할 수 있습니다.

이 사양은 개발에 필요한 450mm 직경의 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼에 대한 치수 및 결정학적 방향 요구 사항을 다룹니다. 이 문서는 회로 품질 웨이퍼에 대한 치수 사양 및 기술별 지침으로 대체되어야 합니다.

완전한 구매 사양을 위해서는 크기를 결정하기 위한 테스트 방법과 함께 추가 물리적 속성을 지정해야 합니다. 테스트 장비를 사용할 수 없는 경우 공급업체와 고객 간에 수락 기준을 합의해야 합니다.

이 사양에는 장비 제조업체 및 기타 업체가 선택한 프로세스 장비 및 단위 프로세스를 개발하는 데 사용할 웨이퍼를 지정하는 데 도움이 되는 지침도 포함되어 있습니다.

450mm 웨이퍼 캐리어, 로드 포트, ​​AMHS(Automated Materials Handling System) 및 로봇 공학과 같은 450mm 반도체 장비 개발에 사용되는 450mm 직경의 기계적 핸들링 웨이퍼에 대한 사양은 이미 SEMI M74로 공개되었습니다.

이 사양은 제품 웨이퍼 사양이 아닙니다.

심판 목적으로 SI(System International, 일반적으로 미터법이라고 함) 단위가 사용됩니다.

참조된 SEMI 표준

SEMI E45 — VPD/TXRF(Vapor Phase Decomposition-Total Reflection X-Ray Spectroscopy), VPD-Atomic Absorption Spectroscopy(VPD/AAS) 또는 Inductively Couples Plasma-Mass Spectroscopy를 사용하는 미니 환경에서 무기 오염 측정을 위한 테스트 방법( VPD/ICP-MS)
SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M12 — 웨이퍼 전면의 일련의 영숫자 마킹 사양
SEMI M13 — 실리콘 웨이퍼의 영숫자 마킹 사양
SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M33 — 전반사 X선 형광 분광법(TXRF)에 의한 실리콘 웨이퍼의 잔류 표면 오염 측정을 위한 테스트 방법
SEMI M43 - 웨이퍼 나노토포그래피 보고 가이드
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI M67 — ESFQR, ESFQD 및 ESBIR 메트릭을 사용하여 측정된 두께 데이터 어레이에서 웨이퍼 니어 에지 형상 결정을 위한 실습
SEMI M68 — 곡률 측정법 ZDD를 사용하여 측정된 높이 데이터 배열에서 웨이퍼 근방 형상 결정을 위한 연습
SEMI M70 — 부분 웨이퍼 부위 편평도를 사용하여 웨이퍼에 가까운 가장자리 형상을 결정하기 위한 실습
SEMI M73 — 측정된 웨이퍼 에지 프로파일에서 관련 특성을 추출하기 위한 테스트 방법
SEMI M74 — 450mm 직경의 기계적 취급 광택 웨이퍼 사양
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도성 유형에 대한 테스트 방법
SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF534 — 실리콘 웨이퍼의 휨에 대한 테스트 방법
SEMI MF673 — 비접촉식 와전류 게이지로 반도체 웨이퍼의 비저항 또는 반도체 필름의 시트 저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF951 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 침입형 산소 변화 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1152 — 실리콘 웨이퍼의 노치 치수 테스트 방법
SEMI MF1188 - 짧은 기준선으로 적외선 흡수에 의한 실리콘의 격자간 원자 산소 함량에 대한 테스트 방법
SEMI MF1366 — 2차 이온 질량 분석법으로 고농도 도핑된 실리콘 기판의 산소 농도 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1389 — III-V 불순물에 대한 단결정 실리콘의 광발광 분석을 위한 테스트 방법
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1451 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 소리를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 두께 편차를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1617 — 2차 이온 질량 분석법으로 실리콘 및 에피 기판의 표면 나트륨, 알루미늄 및 칼륨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1619 — 브루스터 각도에서 p-편광 방사 입사를 사용한 적외선 흡수 분광법에 의한 실리콘 웨이퍼의 격자간 산소 함량 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 묘사하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드
SEMI T3 — 웨이퍼 박스 라벨 사양
SEMI T7 — 2차원 매트릭스 코드 기호가 있는 양면 연마 웨이퍼의 후면 마킹 사양

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