
SEMI M71 - CMOS LSI용 SOI(Silicon-on-Insulator) 웨이퍼 사양 -
Abstract
이 사양은 CMOS 대규모 집적 회로(LSI) 장치에 대한 박막 SOI(silicon-on-insulator) 웨이퍼 요구 사항을 정의합니다. 200mm 및 300mm 웨이퍼의 경우 이 사양은 130nm 기술 노드 이상(65, 45, 32, 22nm 등)을 대상으로 합니다. 150mm 웨이퍼의 경우 구형 LSI 세대도 포함됩니다. 매개변수, 검사 절차 및 승인 기준을 정의함으로써 공급업체와 고객 모두 제품 특성과 품질 요구 사항을 균일하게 정의할 수 있습니다.
SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M35 — 자동 검사로 감지되는 실리콘 웨이퍼 표면 특징에 대한 사양 개발 가이드
SEMI M41 — 전력 소자/IC용 SOI(Silicon-on-Insulator) 사양
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI M62 — 실리콘 에피택셜 웨이퍼 사양
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도성 유형에 대한 테스트 방법
SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF84 — 인라인 4점 프로브로 실리콘 웨이퍼의 비저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF847 — X-Ray 기술로 단결정 실리콘 웨이퍼에서 플랫의 결정학적 방향을 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF1152 — 실리콘 웨이퍼의 노치 치수 테스트 방법
SEMI MF1188 - 짧은 기준선으로 적외선 흡수에 의한 실리콘의 격자간 산소 함량에 대한 테스트 방법
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 기술하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드
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