SEMI M66 - MISFlattband 電圧―絶縁膜厚法を使った，酸化膜，およびhigh-κゲートスタックの有効仕事関数の算出法 -

Name: M06600 - SEMI M66 - MISFlattband 電圧―絶縁膜厚法を使った，酸化膜，およびhigh-κゲートスタックの有効仕事関数の算出法
Brand: semi.org
SKU: 4888
Price: 285000.0 KRW
Availability: InStock

Member Price: ₩135

Non-Member Price: ₩285,000

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
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개정:

SEMI M66-0706E - 대체됨

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Abstract

本standared는 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회 で技術的に承認されている。現版は2006年5月16日，global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2006年6 月にwww.semi.org で，そして2006 年7 月にCD-ROM で入手可能となる。

E 本文書는 2007 년 2월에 編集上の修正がなされた.

CMOS集積回路の継続的な縮小により, ムーアの法則による予測や，国際半導体技術ロードマップ（반도체 국제 기술 로드맵 ）の予測を達成するためには，新規材料やリソグラフィ技術の革新が必要な所まできている.ゲート絶縁膜膜厚が1nmに近づくに伴い，一般的に使われてきたゲート絶縁膜とゲート電極の材料（ SiO ₂ とドープされたポリシリコン）の特性では，今後のノードに対応できない。従来のCMOSに使われているn +やp +ポリシリコンゲート電極に替わる材料を探istaめ，代替材料候補の有効仕事関数を実験により算出することが新たに注目を集めている.

新田なゲート電極材料に要求される特徴の一つは，SiRICON酸化膜(SiO ₂ 膜)toSiO ₂ に代替すべく開発が進でいるhigh- κ 膜の両方のゲート絶縁膜に対して使用できる可能性である.ゲート電極の仕事関数差は，ゲート電極材料とシリコン基板の特性のみによる様に見えるが，さざまな，金ま属と絶縁體の相互作用が，有効仕事関数に影響を与える電位shiftを発生させることが報告されている。したがって，これらの影響を十分考慮したtest片構造と解析が求められる。

これらの測定が初めて広く使われる様になって以降，proses技術やweーハ作製法が変化したことは、test片構造作製と解析方法の変更が必要なことを示している.本試験方法の目的は，この変更を明確にすることである。それは，測定，Flattband電圧―絶縁膜厚法より得たゲート電極有効仕事関数deーtaの測定，解析と報告を含む。

참조된 SEMI 표준

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF1153 — 커패시턴스-전압 측정에 의한 금속-산화물-실리콘(MOS) 구조의 특성화를 위한 테스트 방법

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SEMI M66 - MISFlattband 電圧―絶縁膜厚法を使った，酸化膜，およびhigh-κゲートスタックの有効仕事関数の算出法 -

E 本文書는 2007 년 2월에 編集上の修正がなされた.

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