SEMI M65 - 복합 반도체 에피택셜 웨이퍼에 사용할 사파이어 기판 사양 -

Abstract

알림: 이 표준은 투표를 거쳐 2022년 철회 승인을 받았습니다.
　

사파이어 기판은 질화 갈륨 및 관련 필름의 헤테로 에피택셜 성장에 사용됩니다. 필름의 특성은 부분적으로 사용된 기판의 특성에 따라 달라집니다. 본 규격은 디바이스 생산에 적합한 필름의 성장에 사용하기 위해 필요한 기준에 대한 규격을 제공하고 사파이어 기판의 표기방법을 통일하기 위한 것이다.

　

이 사양은 세 가지 크기(50.8mm, 76.2mm 및 100mm)의 단결정 고순도 연마 사파이어 기판에 대한 요구 사항을 다룹니다. 치수 및 결정학적인 배향 특성은 여기에 설명된 유일한 표준화된 특성입니다. 구매 사양에는 정의해야 하는 추가 물리적 속성이 필요할 수 있습니다. 이러한 특성 중 많은 수가 그 크기를 결정하는 데 적합한 테스트 방법과 함께 나열되어 있습니다. 이러한 여러 속성에 대한 추가 정보 및 권장 사양 수준은 관련 정보 섹션에서 제공됩니다.

　

이 사양은 특히 하나의 광택 표면이 있는 사파이어 기판에 관한 것입니다. 양면이 연마되었거나 연마되지 않았거나 에피택셜 필름이 있는 기판은 덮이지 않습니다. 그러나 이러한 기판의 고객은 이러한 사양이 요구 사항을 정의하는 데 유용한 가이드임을 알게 될 것입니다.

　

결정학적 방향의 표기는 가능한 오해를 방지하기 위해 통합되었습니다. 대문자와 소문자로 표기된 기호는 결정면의 올바른 표현을 위해 엄격하게 구별하여 사용되어야 합니다.

　

광학 측정 방법은 정확하고 취급하기 쉽기 때문에 기판의 평탄도를 평가하는 데 널리 사용됩니다. 따라서 Sori, Taper, GBIR, GFLR 항목을 도입하여 Strained 또는 Unrestrained 표면 평탄도를 보다 적절하게 검토.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)
SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M3 — 유광 단결정 사파이어 기판 사양(철회 0707)
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF671 — 실리콘 웨이퍼 및 기타 전자 재료의 평면 길이 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF847 — X-Ray 기술로 단결정 실리콘 웨이퍼에서 플랫의 결정 방향을 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF928 — 원형 반도체 웨이퍼 및 경질 디스크 기판의 가장자리 윤곽에 대한 테스트 방법
SEMI MF1810 — 실리콘 웨이퍼에서 우선적으로 에칭되거나 장식된 표면 결함을 계산하기 위한 테스트 방법
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드

개정 내역
SEMI M65-0816(철회 0123)
SEMI M65-0816(기술 개정)
SEMI M65-0306E2(편집 개정판)
SEMI M65-0306E(편집 개정판)
SEMI M65-0306(최초 게시됨)

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