SEMI M65 - 화합물 半導체 에피타키샤르웨하에 사용하는 사파이아기모의 仕様 -

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Non-Member Price: ₩285,000

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
SEMI Standards Copyright Policy/License Agreements

개정: SEMI M65-0306E2 - 대체됨

개정

Abstract

本仕様は,Global Compound Semiconductor Materials Committee で技術的に承認されている。現版は2006年1月16日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2006年2 月にwww.semi. org 로, 2006년 3 월에 CD-ROM 으로 전화할 수 있습니다.

 

E本standard 는 2006년 8 월에 編集上の修正がなされた。修正箇所은R2-2 로.

 

サファイア基板は,窒化gariumto関連する薄膜のヘtereroepitakisharp成長に使用される。薄膜の特性は,使用される基板の特性に部分的に依存する。これらの仕様は,デバイスの製造に適した薄膜に成長に使用するために必要な判定基準の仕様を提供し,safァia基板の表記法を統一するためのものである.

 

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M3 — 유광 단결정 사파이어 기판 사양
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법


SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF671 — 웨이퍼 및 기타 전자 재료의 평면 길이 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF847 — X선 기술로 단결정 실리콘 웨이퍼에서 플랫의 결정 방향을 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF928 — 원형 반도체 웨이퍼 및 경질 디스크 기판의 가장자리 윤곽에 대한 테스트 방법
SEMI MF1810 — 실리콘 웨이퍼에서 우선적으로 에칭되거나 장식된 표면 결함을 계산하기 위한 테스트 방법
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드
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