SEMI M62 - 시리콘에피타키샤르웨하나 사양 -

Abstract

本standaredは，global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2009年1月2日，global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。2009 年2 月にwww.semi.org で，そして2009年3月にCD-ROM で入手可能となる。 初版は2005年11月発行，前版は2007 年11 月に発行された。

에피타키샤르시리콘웨하하，多くの集積回路やdiscri-t半導体デバイスに使用されている.にするためには，에피타키샤르웨하노寸法を標準化することが不可欠である。

さらに，高密度の集積回路のエレementの寸法をますます小さくするための테크노로지の進歩につれ，에피타키샤르웨하の特性をさらに標準化する ことに関心が集まってきている.

これらの仕様では，discriート半導体debaisno 製造業者 および集積回路デバイスの製造業者の両者のためのシリコンエピタキシャルウェーハの例を定義し，記載する。検査手順および検収判定基準を定義する ことにより，sapraiyatoその顧客は両者와 も製品の特性と品質の要求条件を変わりなく定義できる.

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M17 — 범용 웨이퍼 그리드 가이드
SEMI M18 — 실리콘 웨이퍼의 주문 입력을 위한 사양 양식 개발 가이드
SEMI M33 — 전반사 X선 형광 분광법(TXRF)에 의한 실리콘 웨이퍼의 잔류 표면 오염 측정을 위한 테스트 방법
SEMI M35 — 자동 검사로 감지되는 실리콘 웨이퍼 표면 특징에 대한 사양 개발 가이드
SEMI M43 - 웨이퍼 나노토포그래피 보고 가이드
SEMI M44 - 실리콘의 침입형 산소에 대한 변환 계수 가이드
SEMI M45 — 300mm 웨이퍼 운송 시스템의 임시 사양
SEMI M53 - 패턴이 없는 반도체 웨이퍼 표면에 단분산 폴리스티렌 라텍스 구체의 증착을 사용하여 스캐닝 표면 검사 시스템을 교정하기 위한 실습
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF95 — 적외선 반사율에 의한 동일한 유형의 기판 상의 실리콘 에피택셜 층의 두께에 대한 테스트 방법
SEMI MF110 — 앵글 랩핑 및 염색 기법에 의한 실리콘의 에피택셜 또는 확산층 두께 테스트 방법
SEMI MF154 - 경면 실리콘 표면에서 보이는 구조 및 오염 물질 식별 가이드
SEMI MF374 — 단일 구성의 인라인 4점 프로브를 사용하여 실리콘 에피택셜 층의 시트 저항에 대한 테스트 방법
SEMI MF398 — 플라즈마 공명 최소 파장 측정을 통한 반도체의 주요 캐리어 농도 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 슬라이스의 육안 검사 실습
SEMI MF525 — 확산 저항 프로브를 사용하여 실리콘 웨이퍼의 비저항 측정
SEMI MF534 — 실리콘 웨이퍼의 휨에 대한 테스트 방법
SEMI MF657 — 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨 및 전체 두께 변화를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF672 — 확산 저항 프로브를 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 수직인 비저항 프로파일을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF723 — 붕소 도핑 및 인 도핑 실리콘에 대한 비저항과 도펀트 밀도 간 변환 실습
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1392 — 수은 프로브를 사용한 커패시턴스-전압 측정을 통해 실리콘 웨이퍼의 순 캐리어 밀도 프로파일을 결정하는 테스트 방법
SEMI MF1451 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 소리를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동화된 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 총 두께 변화를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1617 — 2차 이온 질량 분석법으로 실리콘 및 에피 기판의 표면 나트륨, 알루미늄, 칼륨 및 철 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1726 — 실리콘 웨이퍼의 결정학적 완벽도 분석 실습
SEMI T3 — 웨이퍼 박스 라벨 사양

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