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SEMI M47 - CMOS LSI 애플리케이션용 SOI(Silicon-on-Insulator) 웨이퍼 사양 -
Abstract
이 표준은 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 판은 2007년 4월 25일에 글로벌 감사 및 검토 소위원회의 출판 승인을 받았습니다. 2010년 10월에 www.semi.org에서 처음 사용할 수 있습니다. 이전에 출판된 2007년 7월.
알림: 이 문서는 2010년에 투표를 거쳐 철회 승인을 받았습니다.이 사양은 CMOS 대규모 집적 회로(LSI) 장치에 대한 박막 SOI(silicon-on-insulator) 웨이퍼 요구 사항을 정의합니다. 또 다른 양태에서, 본 명세서는 일반적으로 0.2㎛ 이하의 SOI 층 두께를 갖는 결합된 SOI 웨이퍼 및 SIMOX의 일반적인 특성을 정의한다. 매개변수, 검사 절차 및 승인 기준을 정의함으로써 공급업체와 고객 모두 제품 특성과 품질 요구 사항을 균일하게 정의할 수 있습니다.
참조된 SEMI 표준
SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M18 — 실리콘 웨이퍼의 주문 입력을 위한 사양 양식 개발 가이드
SEMI M35 — 자동 검사로 감지되는 실리콘 웨이퍼 표면 특징에 대한 사양 개발 가이드
SEMI M41 — 전력 소자/IC용 SOI(Silicon-on-Insulator) 사양
SEMI M53 - 패턴이 없는 반도체 웨이퍼 표면에 폴리스티렌 라텍스 구체의 인증 증착을 사용하여 스캐닝 표면 검사 시스템을 교정하기 위한 실습
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도성 유형에 대한 테스트 방법
SEMI MF84 — 인라인 4점 프로브로 실리콘 웨이퍼의 비저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF671 — 실리콘 웨이퍼 및 기타 전자 재료의 평면 길이 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF928 — 원형 반도체 웨이퍼 및 경질 디스크 기판의 가장자리 윤곽에 대한 테스트 방법
SEMI MF1152 — 실리콘 웨이퍼의 노치 치수에 대한 테스트 방법
SEMI MF1188 - 짧은 기준선으로 적외선 흡수에 의한 실리콘의 격자간 산소 함량에 대한 테스트 방법
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 두께 편차를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1619 — 브루스터 각도에서 p-편광 방사 입사를 사용한 적외선 흡수 분광법에 의한 실리콘 웨이퍼의 격자간 산소 함량 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드
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