SEMI M19 - 벌크 갈륨 비소 단결정 기판의 전기적 특성 사양 -

Abstract

사양의 경우 반절연, n 유형 및 p 유형의 세 가지 주요 유형의 재료가 식별되었습니다. 이것은 갈륨 비소(GaAs)에 대한 전체 범위의 전도성 특성을 포함합니다. § 3은 전도성 유형을 생성하는 데 사용될 수 있는 종을 정의하는 이러한 특성의 하위 클래스를 고려합니다. 반절연 재료의 경우 특수한 경우가 분리되었습니다.

　

도핑되지 않은 A1 등급은 추가 어닐링이나 처리 없이도 높은 저항성과 안정적인 성장을 보이는 재료를 나타냅니다. 등급 A2 재료인 "고순도"는 저항률을 > 107 Ω-cm 수준으로 만들기 위해 성장 후 추가 열처리가 필요합니다. 현재 대부분의 생산업체는 대부분의 A2 등급 잉곳이 적절한 열 사이클 후에 허용 가능한 범위로 상승하는 저항 특성을 가지고 있음을 나타냅니다. 그러나 th 는 시간-온도 주기의 세부 사항에 민감한 현상이므로 모든 응용 분야에서 이러한 증가를 보장할 수는 없습니다. 따라서 "등급 A2"라는 레이블이 이 재료를 표시하는 데 사용됩니다.

 

크롬 도핑은 저항률이 높은 재료를 생성합니다. 그러나 가공 중 Cr의 급속한 확산과 표면 축적 경향으로 인해 등급 3.A.1 및 3.A.2만큼 가공에 적합하지 않으므로 이 재료를 "등급 A"로 지정합니다.

 

등전성 도펀트 첨가는 저항률에 크게 영향을 미치지 않는 것으로 보이지만 오히려 최종 제품에서 전위 생성을 줄일 수 있습니다. 따라서 이 재료는 등급 A로 분류됩니다. In이 가장 효과적인 경화제인 반면 Al, P 및 Sb도 실행 가능한 종입니다. 완성도를 높이고 나중에 문서를 수정할 가능성을 줄이기 위해 포함됩니다. 등급 B 사양은 불순물과 점 결함 밀도가 적절한 균형을 이루지 못하지만 저항률이 덜 엄격한 응용 분야에 적합한 재료를 포함합니다.

 

전도성 재료의 경우, 가장 잘 특성화된 비전이 금속 종이 n 형 도펀트로 포함되었습니다. p 형의 경우 전이 금속이 유용한 억셉터 불순물이므로 더 넓은 범위의 종이 포함되었습니다.

　

참조된 SEMI 표준

없음.

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