SEMI M19 - 바르크・가리움히素単結晶基板の電気的性質(仕様) -

Abstract

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반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

 

仕様として，3つの主なたいプに分けられる。すなわち，半絶縁性，n型及びp型である。これはgariumヒ素（ GaAs ）の導電率の全範囲を含んでい루。

第3項では，必要とする導電率太いプを製造するためのドーパントの種類を規定し，更に細分化した検討を行っている。半絶縁性材料に対しては，特殊なケースとして分けて考えられてきた。

and-prgreadA1으로 は,付加的なアニールやプロセスを必要とせずに成長後に高抵抗で安定した材料を表す.率を107Ω-cm 以上のレベルにするために，成長後の追加の熱処理を必要とする。このとき，大部分のグレードA2ingottは，適切な温度西クルの後に抵抗率特性が許容し得る範囲にまで高められるということを，大抵のサプライヤは示してきた。しかしながら，この現象は時間－温度サイクルの詳細事項に対し敏感であるので，そのような抵抗率の増大は全ての応用例について保証することはできない。それ故，라벨 」 그레이드A2" 가 이 게임의 활용 수단입니다.

クロミウムをドープすると高抵抗の材料が得られる。しかし，Proses中にcromが素早く拡散することや表面に蓄積する傾向があるため，그레이드 3.A.1 や3.A.2 세에 하프로세스에よく適合しない。したがって, 이 材料を" 그레이드 A" とする.

等電価ado-pantotの添加は抵抗率に著しく影響を及ぼさないように思われ，むしろ，最終製品の転位の発生を低下させる.それ故，この材料はグレードA に分類される。一方In は最も効果的な硬化材料であり， A l ， P及びSbも又効果的なドーパント種である。それらを全て掲載し，後にdcubmentを改訂する必要性が起こらないようにした。

그레이드B仕様は，不純物及びポint欠陥密度が適切なbaransを完全には保っていないが，抵抗率があmari厳しく指定されない用途に適する材料を包含している.

導電性材料に対しは，特性が最も良く判っている非遷移金属n型ドーpantとして用いられてきた。ーpant種が用いられてきた。そして，遷移金属は有用なアクセプター不純物である.

第4項では, 3項で規定されたような半絶縁性材料の抵抗率及び安定性を定義している。アニーRINGによって低抵抗材料に変換してしまう可能性を最小にするために，그레이드 A2 材料にはきびしい制限が設けられた。クロムがドープされた材料における表面変性の問題は，아니링後のn 型特性に対して言及しないことにより処理された.

　

참조된 SEMI 표준

없음.

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