SEMI M17 - 범용 웨이퍼 그리드용 가이드 -

Abstract

최대 허용 슬립 및 기타 불균일하게 분포된 결함은 연마 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 조달할 때 자주 지정됩니다. SEMI M62는 슬립을 포함할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 표면적의 최대 허용 가능한 비율을 지정합니다.

이 가이드는 관찰된 결함으로 덮힌 웨이퍼 표면적의 일부를 쉽게 결정할 수 있는 웨이퍼 그리드의 사용을 위한 설계 및 지침을 제공합니다.

이 가이드는 명목상 원형 반도체 웨이퍼의 표면 결함을 정량화하는 데 유용한 그리드 패턴을 정의합니다. 그리드는 거의 동일한 면적의 1000개 요소를 포함하도록 정의됩니다. 따라서 각 그리드 요소는 검사 중인 표면의 총 품질 영역의 0.1%를 포함합니다. 불균일하게 분포된 결함(예: 슬립)은 웨이퍼 표면의 결함 비율(또는 유용 비율) 영역으로 정량화할 수 있습니다.

설명된 그리드는 웨이퍼 중심을 기준으로 합니다. SEMI M1에 지정된 것과 같은 공칭 웨이퍼 직경을 기반으로 '고정 품질 영역'의 개념이 사용됩니다.

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

SEMI M62 — 실리콘 에피택셜 웨이퍼 사양

SEMI MF154 - 경면 실리콘 표면에서 보이는 구조 및 오염 물질 식별 가이드

SEMI MF1725 - 실리콘 잉곳의 결정학적 완전성 분석 실습

SEMI MF1726 — 실리콘 웨이퍼의 결정학적 완벽도 분석 실습

SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 기술하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드

개정 내역

SEMI M17-1110(재승인 1121)

SEMI M17-1110 (1015 재승인)

SEMI M17-1110(기술 개정)

SEMI M17-0704(기술 개정)

SEMI M17-0998(기술 개정)

SEMI M17-90(초판)

Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.