SEMI M3 - 광택 처리된 단결정 사파이어 기판 사양 -

Abstract

이 표준은 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 판은 2007년 4월 25일에 글로벌 감사 및 검토 소위원회의 출판 승인을 받았습니다. 2007년 6월에 www.semi.org에서 볼 수 있었습니다. 원래는 1978년에 출판되었습니다. 이전에 출판된 2004년 3월.

 

알림: 이 문서는 2007년에 투표를 거쳐 철회 승인을 받았습니다.

 

사파이어 기판은 특정 유형의 장치 구조용 실리콘 필름의 헤테로에피택셜 성장에 사용됩니다. 필름의 특성은 부분적으로 사용된 기판의 특성에 따라 달라집니다. 이러한 사양은 장치 생산에 적합한 필름의 성장에 필요한 기준에 대한 사양을 제공하기 위한 것입니다.

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습

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