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SEMI M1 - 鏡面単結晶シリコンウェーハの仕様 -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
免責事項： このSEMIstandadeは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡
반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。
単結晶シリコンウェーハはすべての集積回路デバイスおよびその他の多くの半導体デバイスに用いられている多くのデバイス製造lineで共通の製造設備を使用するためにはウェーハの寸法の標準化が必要である.
さらに，技術の進歩に伴い高密度の進歩に伴い高密度の集積回路の各要素の微細化がますます進んだ結果，weーハのその他の品質特性を標準することが有益になった.
この仕様はシリコンウェーハの基本寸法およびいくつかの基本特性について規定する.ンウェーハを取り扱う.
これらの仕様は，半導体데바이스 および集積回路デバイス製造に使用される高純度（電子回路グレード）単結晶鏡面研磨シリコンウェーハの発注情報および特定の要求事項をカバーする。そのようなウェーは通常，스라이스전 に直径が均一となるように研削された円筒状の単結晶ingottからスライスされる。mata，これら仕様はエピ，아니르，SOIweーharを含むその他のウェーハ種類の基板（あるいはスタートウェーハ）として使用用することが意図された電子回路グレードのシリコンウェーハの発注情報および特定の要求事項もカバーする.
鏡面研磨weーハの寸法基準は以下の分類で規定されている.
ウェーハ厚さ， TTV ，バウ，ワープの規定値は裏面膜付け処理，外因性ゲttaring処理，matataはその他の熱処理前we-haに適用される。
ウェーハ購入仕様にはさらなる品質特性がその数値をきめる検査方法ととともに必要である。本標準ではこれらの諸特性と関連試験方法のlistを示す。このlistはあらゆる鏡面研磨weーハ，matataは基板の購入仕様を作成するための體系的基盤を提供するものであり，購買実務に利用されることを期待している.
ここに定める仕様標準は少なくとも1回以上鏡面研磨されたプライムウェーハに適用される。研削，rap，および鏡面研磨されないウェーは本標準の対象外である。しかし，これらの非鏡面研磨weーハを購入する際のになるかもしれない.
本standardは， 32 ， 22 ， 16 nm技術世代用300 および450 mm径프라임시리콘웨하の仕様のgaidも提供する。これらのgaidは，関連情報1 に含まれる。
本標準は以下のシリコン関連材料またはweーハについてはカバーしていない。
しかし，本標準は테스트웨하，프레미암웨하，리크렘웨하하 およびエピ，아니르，SOIwe-ha用の鏡面研磨基版およびweーハの発注に役立つ情報を그럴 수 있습니다.
参考までに，米国で通常使われている単位が2인치および3인치웨하하は用いらには用いらてい SI （메트르）単位が100mm 以上のウェーには使われてい루。
本標準の分類1.10.1 ， 1.10.2 ， 1.11 ， 1.12 ， 1.13.1および1.13.2に規定されたウェーハ寸法はJEITA EM-3602 の規定と同じであり，分類1.15 で規定されたウェーハ寸法は基本的にJEITA EM-3602 와 같은 회사입니다.
- 分類1.1 2inch鏡面研磨単結晶시리콘웨하(세칸다리후랏트あり)
- 分類 1.2 3inch鏡面研磨単結晶시리콘웨하(세칸다리후랏트あり)
- 分類1.5 100mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（세칸다리후랏트あり, 525m m 厚）
- 分類 1.6 100mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（세칸다리후랏트あり, 625 m m 厚）
- 分類 1.7 125mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(세칸다리후랏트あり)
- 分類 1.8.1 150mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(세칸다리후랏트あり, T/3 엣지프로파일)
- 分類1.8.2 150mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(세칸다리후랏트あり, T/4 엣지프로파일)
- 分類 1.9.1 200mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(notchi付き, T/3 엣지프로파일)
- 分類 1.9.2 200mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(notchi付き, T/ 4edgeprofァyl)
- 分類 1.9.3 200mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(notti付き, 파라메타指定엣지프로파일)
- 分類1.10.1 200mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(오리후라아리, 세칸다리후랏트나시, T/3 엣지프로파일)
- 分類1.10.2 200mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（오리후라아리，세칸다리후랏트나시， T/4 엣지프로파일）
- 分類1.11 100mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（오리후라あり，세칸다리후랏트나시）
- 分類 1.12 125mm 鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ（오리후라아리，세칸다리후랏트나시）
- 分類 1.13.1 150mm鏡面研磨単結晶シリコンウェーハ(오리후라아리, 세칸다리후랏트나시, T/3 엣지프로파일)
- 分類 1.13.2 150mm鏡面研磨単結晶시리콘웨하
- 分類 1.15 300mm鏡面研磨単結晶시리콘 웨하
- 分類 1.15.1 300mm鏡面研磨単結晶시리콘웨하
- 分類1.16.1notchi中心を<110> 軸に持つ450 mm 鏡面単結晶シリコンウェーハ
- 分類1.16.2notchi中心を<100> 軸に持つ450 mm 鏡面単結晶シリコンウェーハ
참조된 SEMI 표준
SEMI M6 — 광전지 태양 전지로 사용하기 위한 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M8 — 연마된 단결정 실리콘 테스트 웨이퍼 사양
SEMI M12 — 웨이퍼 전면의 일련의 영숫자 마킹 사양
SEMI M13 — 실리콘 웨이퍼의 영숫자 마킹 사양
SEMI M16 — 다결정 실리콘 사양
SEMI M18 — 실리콘 웨이퍼의 주문 입력을 위한 사양 양식 개발 가이드
SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M24 — 연마된 단결정 실리콘 프리미엄 웨이퍼 사양
SEMI M26 — 웨이퍼 운송에 사용되는 100, 125, 150 및 200mm 웨이퍼 배송 상자 재사용 가이드
SEMI M33 — 전반사 X선 형광 분광법(TXRF)에 의한 실리콘 웨이퍼의 잔류 표면 오염 측정을 위한 테스트 방법
SEMI M35 — 자동 검사로 감지되는 실리콘 웨이퍼 표면 특징에 대한 사양 개발 가이드
SEMI M38 — 광택 재생 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M40 — 실리콘 웨이퍼의 평면 표면 거칠기 측정 가이드
SEMI M41 — 전력 소자/IC용 SOI(Silicon-on-Insulator) 사양
SEMI M43 - 웨이퍼 나노토포그래피 보고 가이드
SEMI M44 - 실리콘의 침입형 산소에 대한 변환 계수 가이드
SEMI M45 — 300mm 웨이퍼 운송 시스템 사양
SEMI M53 - 패턴이 없는 반도체 웨이퍼 표면에 대한 단분산 기준 구의 인증 증착을 사용하여 스캐닝 표면 검사 시스템을 교정하기 위한 실습
SEMI M57 — 실리콘 어닐링 웨이퍼 지정 가이드
SEMI M58 — DMA 기반 입자 증착 시스템 및 프로세스를 평가하기 위한 테스트 방법
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI M61 — 매립층이 있는 실리콘 에피택셜 웨이퍼 사양
SEMI M62 — 실리콘 에피택셜 웨이퍼 사양
SEMI M67 — ESFQR, ESFQD 및 ESBIR 메트릭을 사용하여 측정된 두께 데이터 어레이에서 웨이퍼 니어 에지 형상 결정을 위한 실습
SEMI M68 — 곡률 측정법 ZDD를 사용하여 측정된 높이 데이터 배열에서 웨이퍼 근방 형상 결정을 위한 연습
SEMI M70 — 부분 웨이퍼 부위 편평도를 사용하여 웨이퍼에 가까운 가장자리 형상을 결정하기 위한 실습
SEMI M71 — CMOS LSI용 SOI(Silicon-on-Insulator) 웨이퍼 사양
SEMI M73 — 측정된 웨이퍼 에지 프로파일에서 관련 특성을 추출하기 위한 테스트 방법
SEMI M77 — Roll-off Amount, ROA를 사용하여 Wafer Near-Edge 형상을 결정하는 연습
SEMI M78 — 대량 제조에서 130nm ~ 22nm 세대를 위한 패턴이 없는 실리콘 웨이퍼의 나노토포그래피 결정을 위한 가이드
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF28 — 광전도 감쇠 측정을 통한 벌크 게르마늄 및 실리콘의 소수 캐리어 수명 테스트 방법
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도성 유형에 대한 테스트 방법
SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF84 — 인라인 4점 프로브로 실리콘 웨이퍼의 비저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF391 — 정상 상태 표면 광전압 측정을 통한 외부 반도체의 소수 캐리어 확산 길이 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF525 — 확산 저항 프로브를 사용하여 실리콘 웨이퍼의 저항률을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF534 — 실리콘 웨이퍼의 휨에 대한 테스트 방법
SEMI MF657 - 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨 및 전체 두께 변화를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF671 — 실리콘 웨이퍼 및 기타 전자 재료의 평면 길이 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF673 - 비접촉식 와전류 게이지로 반도체 슬라이스의 비저항 또는 반도체 필름의 시트 저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF847 — X-Ray 기술로 단결정 실리콘 웨이퍼에서 플랫의 결정학적 방향을 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF928 — 원형 반도체 웨이퍼 및 경질 디스크 기판의 가장자리 윤곽에 대한 테스트 방법
SEMI MF951 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 침입형 산소 변화 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF978 — 과도 커패시턴스 기술로 반도체 딥 레벨을 특성화하는 테스트 방법
SEMI MF1048 — 반사 총 통합 산란 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1049 - 실리콘 웨이퍼의 얕은 식각 구멍 감지 실습
SEMI MF1152 — 실리콘 웨이퍼의 노치 치수 테스트 방법
SEMI MF1188 - 짧은 기준선으로 적외선 흡수에 의한 실리콘의 격자간 산소 함량에 대한 테스트 방법
SEMI MF1239 — 격자간 산소 환원 측정에 의한 실리콘 웨이퍼의 산소 침전 특성에 대한 시험 방법
SEMI MF1366 — 2차 이온 질량 분석법으로 고농도 도핑된 실리콘 기판의 산소 농도 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1388 — MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터의 커패시턴스-시간 측정에 의한 실리콘 물질의 생성 수명 및 생성 속도에 대한 테스트 방법
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1391 — 적외선 흡수에 의한 실리콘의 치환 원자 탄소 함량 테스트 방법
SEMI MF1451 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 소리를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1528 — 2차 이온 질량 분광법으로 고농도로 도핑된 n 형 실리콘 기판의 붕소 오염을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동화된 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 총 두께 변화를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1535 — 마이크로파 반사율에 의한 광전도성 감소의 비접촉 측정에 의한 실리콘 웨이퍼의 캐리어 재결합 수명 테스트 방법
SEMI MF1617 — 2차 이온 질량 분석법으로 실리콘 및 에피 기판의 표면 나트륨, 알루미늄, 칼륨 및 철 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1619 — 브루스터 각도에서 p- 편광 방사 입사를 사용한 적외선 흡수 분광법에 의한 실리콘 웨이퍼의 격자간 산소 함량 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1726 — 실리콘 웨이퍼의 결정학적 완벽도 분석 실습
SEMI MF1727 - 연마된 실리콘 웨이퍼에서 산화로 인한 결함 검출을 위한 실습
SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 묘사하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드
SEMI MF1982 — 열 탈착 가스 크로마토그래피로 실리콘 웨이퍼 표면의 유기 오염 물질을 분석하는 테스트 방법
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드
SEMI T3 — 웨이퍼 박스 라벨 사양
SEMI T7 — 2차원 매트릭스 코드 기호가 있는 양면 연마 웨이퍼의 후면 마킹 사양
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