SEMI E163 - 특별 사양에 따른 Eria의 레치크루 およびその他の静電気超敏感性(EES：EXTREMELY ELECTROSTATIC SENSITIVE) -

この文書の目的は，半導体製造装置と施設での静電荷と電界によって引き起こされる生産性に対する悪影響を最小最小限にすることである。静電荷，電圧および電界に対し超静気敏感性（ EES ）を有するレチクルとその他のアイテムのために取り扱い環境での最適な静電気両立性を確立するためのgaidである.して，静電気により最も損傷を受けやすい아이템の保護方法を改善することを意図している.

半導体と電子デバイスの製造者 で用いる製造技術は，高密度化 および高複雑化の方向に進化し続けている。高集積化，内部接続の高階層化よび素子間・導體間分離の微細化にともなって，電界に起因する問題に対する敏感性は増加している。この文書は，既存の静電気電荷の移動技術に加え，電界に関するより緻密な調査を通じて損傷問題に取り組むための推奨事項を提供して좋다。

この文書の適用範囲は，特別に指定された管理環境およびその環境内で維持するべき電界の適切なレベルの推奨範囲内で取り扱うレチクルおよびその他の他のEESアイテムの基本的な定義に制限されている.

この文書では, このダンスは特別に指定されて明確に識別された領域でのみ適用されるため，すでに確立された静電気電荷制御方法（例）えば, HBM敏感性100V 의 ANSI/ESD S20. 20の規定など）と矛盾する接地方法と材料選定についての推奨事項を紹介している.

この文書では, SEMI E78 , SEMI E129 , SEMI E43とその他の静電気parameterの測定方法を参照している.これらの文書は，広範囲の条件下での静電気riskの異なった側面を管理するためのダンスを提供する補足的なものである.

この文書では，静電界とその影響について頻繁に言及をする一方，このgaidの目的としては，交流成分を含み可変で過渡的な電界と電磁界を含んでいることについて考慮するとよい.このようなすべての電界がEESAitem内に潜在的に電気的스트레스を発生させることがあり得る.

この文書でレチクルに言及している場合には，深く掘り下げて説明するために使われているEESaitemの例と見なすとよいこのダンスで論じられている原.理は，レチクルとレチクルの取り扱いのためだけであると見なさない方がよい。 このようなEESaitemとしては，weーハ上に形成された小型のdevais，debais帯電model( CDM )敏感性が問題となるバックEnd工程(例えば，test工程）으로の封止型のデヶイス，および平面パネル型ディスプレイ（ FPD ）製造でのgaras基板上のデバイスが含まれる.

SEMI E43 — 물체 및 표면의 정전기 측정에 권장되는 방법
SEMI E78 — 장비의 ESD(정전기 방전) 및 ESA(정전기 끌림) 평가 및 제어 가이드
SEMI E129 — 반도체 제조 시설의 정전기 전하 평가 및 제어 가이드