SEMI E143 - 50Ωの負荷に対する出力変動の測定およびすべての位相角において電圧定在波比が2.0の負荷に対する出力変動とスペクトルを測定するための試験方法 -

Abstract

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반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

 

本版は2011年12月24日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された2012年5月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。初版は2006年3月発行。

　

注意:本文書は，編集上の修正を伴い，再承認された。

　

本試験方法の目的は, SEMI E113をsaportoshi，高周波(RF)電力供給装置における実際の動作を시뮬레이션수루타메に，整合および不整合負荷の両者に対して駆動されている半導体処理装置用 RF発生器の出力電力とスペクトル詳細を測定する正確な手段を提供する ことである.

 

本試験方法は，RF発生器の出力電力およびスペクトル変動を正確に決定するために必要な試験手順および試記験機器を明する本試験方法ではスペクトル・アナライザ，電力計，信号sanpring装置を使用し，これらすべてはメーカーが推奨する適切な手法によって事前に較正されているものとする。mata，本試験方法はRF発生器の主な性能特性3種の正当性の立証에 사용 し て以下의 SEMI E113仕様をさポートするためのものである.

　

本試験方法は，RF発生器を整合負荷(50Ω)で動作させた場合に，要求電力レベルの±1%未満の偏差で一貫した電力(長期間お，よび定常ウェー)処理条件において)を提供することを確認するために使用する.

　

本試験方法は, RF発生器を最大定格出力電力の10%에서 100 %말하자면 において反射係数が0.33以上 (VSWRが2.0以上)である負荷inピーダンスで動作させた場合に，要求電力レベルの±1.5%未満の偏差で一貫した電力(長期間，および定常weーハ処理条件において)を提供する ことを確認するために使用される.

　

本試験方法は，最大定格出力電力の10%에서 100%말하는 あらゆる位相角において反射係数が0.33以上(VSWRが2.0以上)である負荷inピーdansで動作させた場合に，単一mataは固定周波数出力を提供するRF発生器が −40dB以下の出力電力高調波matataはsprias・スペクトル詳細を提供することを確認するために使用する.

　

本試験方法は，以下の2つの条件が満taされ理解されている場合には，可変matataは複数周波数出力のRF発生器に対する出力電力高調波や스프리아스・스페크트루の確認にも 사용가능합니다.

　

可変周波数RF発生器は，本試験で妥当な結果を得るために単一の固定周波数modにしなければならない。

　

可変周波数RF発生器の出力電力高調波matataはsprias・speクトルは，通常固定周波数RF発生器に対する -40dBの要件よりも高くなる。

　

本試験手法の主な焦点は半導体処理装置であり以下の装置種を含むが, これに限定されるものではない. •드라이엣치

装置

• CVD 와 PVD

　

참조된 SEMI 표준

SEMI E113 — 반도체 처리 장비 RF 전력 공급 시스템 사양
SEMI E114 — 반도체 처리 장비 RF 전력 공급 시스템에 사용되는 RF 케이블 어셈블리에 대한 테스트 방법

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