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SEMI E135 - 半導体処理装置の高周波(RF) 電力供給Systemの過渡応答を決定實定用的RF発振器のtest方法 -
Abstract
本standared는, global Metrics Technical Committee で技術的に承認されている。現版は2011年12 月24日, global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2012年5月にwww.semiviews.orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2004年7月発行。
注意: 本文書は,編集上の修正を伴い,再承認された。
本文書の目的は,半導体処理装置の高周波(RF )力供給電systemに使われるRF発振器の過渡応答を決定する test方法を定義し, SEMI E113をsaポートすることである.
本文書では,公称50Ωの負荷で動作するRF発振器の過渡応答を,電力を要求した時点から(RFイネーブル信号等) RF出力信号が起動あるいは停止するまでの遅延時間も含め,設定値レベルの変化の関数として決定するために必要なtest手順 およびtest装置を指定する.
本文書の主な対象は,次の装置を含み,かつそれらに限定されない半導体処理装置である.
- 드라이엣팅장
- 膜堆積装置( CVDtoPVD )
SEMI E113 — 반도체 처리 장비 RF 전력 공급 시스템 사양
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