SEMI E129 - 半導体製造設備における静電気放電(ESD)の評価と制御へのgaid -

Abstract

本standared는, global Metrics Technical Committee で技術的に承認されている.現版は2012年8月30日， global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2012年9にwww.semiviews.orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる.初版は2003年11月発行。前版は2009年7月発行。

　

この文書の目的は，半導体製造環境の中で静電気電荷および電界に起因した生産性への悪影響を最小とである｡本文書は，半導体工場全體の静電気的な両立性を確立するためのgaidである｡半導体製造に使われる装置の静電気的な両立性は, SEMI E78に述べている.

　

表面に存在する静電気電荷は，半導体製造環境の中で多くの望ましくない効果を引き起こす｡

　

静電気放電（ ESD ： 정전기 방전 ）は製品to レチクルに損傷を与える｡mata， ESDイventは電磁妨害（ EMI ： 전자기 간섭 ）を引き起こし，その結果，設備故障が発生する｡

　

帯電したウェーハやレチクルの表面は微粒子を吸着(静電気吸着, ESA ： 정전기적 인력 )し，不良率を増やす｡

　

静電気電荷起因の装置動作における問題 や付随的に発生する製品欠陥は，半導体製造装置の所有cost（ COO ：소유비용 ）へのマイナス要因となるかもしれない（ SEMI E35を参照）｡

　

静電気の数々の制御方法は，静電気を許容レベルにまで抑制するために装置設計に組み込むことができる｡本文書は，装置製造業者およびcriーンrumーm設備の設計者が装置設計を行う際に，gaidとして使用され得る｡半導体製造に使用されるシリコンウェーハやレチクルの製造業者にとっても有用である.記載された試験方法は，静電気の制御方法有の効性を明らかにするために使用される。Endユーザは,設備の建設後や設計変更後にこれらの試験方法を用いて装置の設計仕様との適合性を検証し，工場のmentenen作s業の貫としての現行の適合性を検証できる｡

　

半導体proses技術は，より微細化形状に向かい続けるであろう.静電気の許容可能なレベルは，製造プロsesの微細化に伴って低くなる。この文書は，設備の静電気の限界値が製造中の製品に対して適切である ことを確認するのに役立つ。 International Technology Roadmap for Semiconductors(ITRS)に含まれる形状sizeを参照.

　

この文書の適用範囲は，測定に使用する方法とすべての設備表面に存在する静電気電荷の最大推奨レベルに関するダンスに限定される｡

• 製品, レチクル，またはそれらのカリア
• 設備建設材料および備品
• 인체
• 包装材料や輸送材料

装置（SEMI E78への参照による）

この文書は，半導体製造施設内の製品，レチクル，Caria，および表面での静電気の最大推奨レベルの表が示されている。この目的は以下通りである：

• ESDによる製品, レチクル および装置の損傷を低減する.
• ESD 이벤트에 있는 로크업의 잠금 해제를 할 수 있습니다.
• 帯電した表面への微粒子吸着を低減する.

　

이 문서는 SEMI E78, SEMI E43, 静電気を測定するその他の方法, および静電気制御方法の性能parameterを参照している.

付属書1では, ¶ 12.7の表1に示す帯電の最大推奨レベルを決定する方法について説明する。 SEMI E129にある独自の方法，およびこのgaidtoSEMI E78の推奨を整合させる更新情報の両方を含ん그렇다.

製品이나 レチクルの保護あるいはEMI制御について，ある領域のESD의 위험이 尺度は発出する ESDイベントの存在 to性質によって定義される.

　

微粒子の静電気吸着を低減する ことによる汚染管理では，領域の静電気のriskは静電気の電荷の存在とレベルによって定義される.

　

レチクルへの損傷について，riskは，レチクル上の静電気の変化率matはレチクルの周囲の電界強度によって定義される.

　

半導体製造は，미니엔바이로먼트や製造装置内で行われることが多くなっている.静電気に関連した問題の多くは，その製品がカリア内に保管中，製造装置により取り扱う際に引き起こされる.

　

静電気の数々の制御方法は，静電気を許容レベルにまで制御するために装置設計に組み込むことができる。装置製造の問題は， SEMI E78 로 述べている。

　

静電気の制御方法の有効性を示 stat めの試験方法がいくつかある(このgaidの§6 , §7参照).엔드유자は，装置の購入仕様で適合性を確認するために同じ試験方法を用いることができる。試験は，静電気測定分野の資格を得た人により行われるべきである。

　

装置設計に適用 される静電気の制御方法は半導体製造施設内の静電気に関連するすべての問題を解決するものではない。施設内の製品またはレチクルの輸送時には静電気の影電響を受け，静電気問題の原因となる.製造設備内で動き回る人も静電気の発生源となる.これらの設備の問題は本文書で述べている.

참조된 SEMI 표준

SEMI E33 — 반도체 제조 시설 전자기 호환성 사양
SEMI E35 — 반도체 제조 장비의 소유 비용(COO) 메트릭 계산 가이드
SEMI E43 — 물체 및 표면의 정전기 측정에 권장되는 방법
SEMI E78 — 장비의 ESD(정전기 방전) 및 ESA(정전기 끌림) 평가 및 제어 가이드

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