SEMI E113 - 반도체 처리 장비 RF 전력 공급 시스템 사양 -

Abstract

이 표준은 글로벌 Metrics Technical Committee에서 기술적으로 승인되었습니다. 이 에디션은 2017년 12월 13일에 글로벌 감사 및 검토 소위원회의 출판 승인을 받았습니다. 2018년 5월에 www.semiviews.org 및 www.semi.org에서 볼 수 있습니다. 원래 2001년 11월에 출판되었습니다. 이전에 게시된 2012년 5월.

프로세스 플라즈마는 박막의 에칭 및 증착을 위해 반도체 산업 전반에 걸쳐 사용됩니다. 대부분의 프로세스 챔버는 무선 주파수(RF) 전력을 사용하여 플라즈마를 생성하고 유지합니다. 플라즈마의 신뢰성과 반복성은 웨이퍼 처리 결과에 직접적인 영향을 미치기 때문에 RF 전력 전달 시스템은 반도체 제조 기술의 핵심 요소입니다. 플라즈마의 RF 영향 매개변수를 포함하여 전체 RF 발전 시스템의 정확하고 재현 가능한 성능은 일반적으로 허용되는 허용 오차 내에 있어야 합니다.

RF 신뢰성 및 반복성에 대한 설계 기준에는 RF 전력 전달 시스템의 성능에 대한 표준화된 테스트 및 평가와 챔버의 제어 장비가 필요합니다. 하위 시스템(예: 발전기, 케이블 어셈블리, 정합 네트워크, 척/코일)의 특성을 파악해야 할 뿐만 아니라 통합 시스템의 성능도 의도한 작동 범위에서 특성을 파악해야 합니다.

이 표준의 목적은 시스템 및 하위 시스템 성능을 향상시키는 반도체 처리 장비에 대한 RF 전원 공급 사양을 제공하는 것입니다. 성능 기준과 시스템 또는 하위 시스템 구성 요소와 함께 제공되어야 하는 필수 문서에 대해 설명합니다. 이 문서의 목표는 잘 특성화된 RF 전력 공급 시스템을 생산하는 데 필요한 사양을 제공하는 것입니다. 여기에서 안정성, 반복성 및 전달 전력, 전류/전압, 시스템의 임피던스와 같은 중요한 전기 매개변수를 내에서 결정할 수 있습니다. 운영 공간.

이 문서는 반도체 산업에서 사용되는 RF 장비에 대한 최소 성능 기준을 지정합니다. 성능 검증을 위한 특정 테스트 방법이나 절차는 다루지 않습니다.

이 사양의 주요 초점은 다음 도구 유형을 포함하되 이에 국한되지 않는 반도체 처리 장비입니다.

• 건식 에칭 장비 및

• 필름 증착 장비(화학 기상 증착[CVD] 및 물리 기상 증착[PVD]).

이 사양은 플라즈마를 생성하고 유지하는 데 전력이 직접 사용되는 반도체 처리 장비 RF 전력 전달 시스템에 적용됩니다.

참조된 SEMI 표준

SEMI E10 — 장비 신뢰성, 가용성, 유지보수성(RAM) 및 활용도의 정의 및 측정을 위한 사양
SEMI E78 — 장비의 ESD(정전기 방전) 및 ESA(정전기 끌림) 평가 및 제어 가이드
SEMI E114 — 반도체 처리 장비 RF 전력 공급 시스템에 사용되는 RF 케이블 어셈블리에 대한 테스트 방법
SEMI E115 — 반도체 처리 장비 RF 전력 공급 시스템에 사용되는 정합 네트워크의 부하 임피던스 및 효율성을 결정하기 위한 테스트 방법
SEMI E135 — 반도체 공정 장비에 사용되는 RF 전원 전달 시스템의 과도 응답을 결정하기 위한 RF 발생기 테스트 방법
SEMI E136 — 반도체 처리 장비 RF 전력 공급 시스템에 사용되는 RF 발생기의 출력 전력 결정을 위한 테스트 방법

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