SEMI PV22 - 太陽光電池用シリコンウェーハの仕様 -

Abstract

本基準は、global Photovoltaic Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年9月12日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 www.semi.orgで入手可能となります。

本仕様は光起電性(PV)太陽光電池の製造に使われるシリコンウェーハに関する要求事項について取扱う。である。

本仕様は現在光起電性用途に広く使われているサイズを基本としたシリコンウェーハの標準化された寸法およびある他の共通特性を備えている。

本仕様は発注のための表形式仕様書式も備えているので、現在は標準的でないウェーハ特性および研究・開発用のウェーハサイズへの拡大や新しい要求が商業取引で簡単にかつ多様なく指定できる。

参照されるSEMI規格

SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド

SEMI M44 — シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド

SEMI M53 — パターンのない半導体ウェーハ表面への単分散ポリスチレン ラテックス球の堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践

SEMI M58 — DMA ベースの粒子堆積システムおよびプロセスを評価するための試験方法

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法

SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法

SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法

SEMI MF391 — 定常状態の表面光電圧の測定による外部半導体の少数キャリア拡散長の試験方法

SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法

SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法

SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体ウェハの抵抗率または半導体フィルムのシート抵抗を測定するための試験方法

SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定するための試験方法

SEMI MF978 — 過渡容量技術による半導体の深いレベルの特性評価のためのテスト方法

SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびエピ基板上の表面のナトリウム、アルミニウム、カリウム、鉄を測定するための試験方法

SEMI MF1810 — シリコンウェーハの優先的にエッチングまたは装飾された表面欠陥をカウントするための試験方法

SEMI MF1982 — 昇温脱着ガスクロマトグラフィーによるシリコンウェーハ表面の有機汚染物質を分析するための試験方法

SEMI PV1 — 高質量分解能グロー放電質量分析法によるシリコン太陽電池用シリコン原料中の微量元素の測定方法

SEMI PV9 —短い照射パルス後のマイクロ波反射率の非接触測定による、PV シリコン材料における過剰な電荷キャリア減衰の試験方法

SEMI PV13 —渦電流センサーを使用したシリコンウェーハ、インゴット、レンガの非接触過剰電荷キャリア再結合寿命測定の試験方法

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