SEMI PV17 - 太陽光発電用途のバージンシリコン原料材料の仕様 -

Abstract

シリコンは、成長する太陽光発電 (PV) 産業における重要な材料の 1 つです。シリコンで作られた太陽電池は今後何年にもわたって製造されます。 Si 原料材料を供給または購入する新しい企業がこの業界に参入しています。

より大量でよりコスト効率の高い原料 Si の必要性が冶金精製法の開発を引き起こしました。さらに、元のシーメンスのプロセスを変更する新しい方法が研究され、大量生産に導入されました。精製方法の開発と並行して、それぞれ特定の材料特性を必要とする多種多様な結晶化技術と太陽電池設計が業界や研究機関によって研究されました。原材料の品質、単結晶および多結晶インゴット、そして最終的には太陽電池の性能の間のすべての関係を記述するには、多次元パラメータ空間が必要になります。これらは多数のインターフェースの問題を引き起こし、サプライヤーとその顧客間の関係を阻害することになりますが、これは大量生産と急速に成長する業界には適切ではありません。

Si原料材料の標準化された仕様により、これらの界面の問題が軽減され、材料特性と用語の共通理解が可能になり、太陽電池のインゴットの信頼できる製造が可能になり、すべての関係者に利益がもたらされると期待されています。

この仕様は、CVD プロセス、冶金精製プロセス、またはその他のプロセスによって製造されたバージン シリコン原料材料を対象としています。 CVDプロセスには、いわゆるシーメンスプロセス、流動床プロセス、粉末プロセス、および蒸留したシランまたはハロシラン化合物を使用するその他のプロセスが含まれます。

これらの特定の材料は、太陽電池用の Si ウェーハの製造に使用される、単結晶インゴットの成長および多結晶 Si を成長させる鋳造またはその他の方法を目的としています。

この仕様は、アモルファスまたはマイクロモルファス Si 製品などの薄膜太陽電池製品の製造に使用される材料を対象としたものではありませんが、特定の用途に適している場合には使用できます。

この仕様はバージンシリコン原料にのみ適用され、半導体産業から出るスクラップや廃棄物には適用されません。

この仕様は、ブレンドされた材料からの溶融物のガイドラインとして使用される場合もありますが、材料ブレンドを指定することを目的としたものではありません。

SEMI M44 –– シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド
SEMI MF28 –– 光導電率減衰の測定によるバルクゲルマニウムおよびシリコンの少数キャリア寿命の試験方法
SEMI MF84 –– インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF391 –– 定常状態の表面光電圧の測定による外部半導体の少数キャリア拡散長の試験方法
SEMI MF397 –– 2点プローブを使用したシリコンバーの抵抗率の試験方法
SEMI MF723 –– ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパントまたはキャリア密度の間の変換の実践
SEMI MF1188 –– 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間酸素含有量の試験方法
SEMI MF1389 –– 単結晶シリコンの III-V 族不純物フォトルミネッセンス分析の試験方法
SEMI MF1391 –– 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法
SEMI MF1528 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープn型シリコン基板のホウ素汚染測定の試験方法
SEMI MF1535 –– マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法
SEMI MF1630 –– 単結晶シリコンの III-V 族不純物に対する低温 FTIR 分析のテスト方法
SEMI MF1708 –– メルターゾーナー分光法による粒状ポリシリコンの評価の実践
SEMI MF1723 –– フロートゾーン結晶成長と分光法による多結晶シリコンロッドの評価の実践
SEMI PV1 — 高質量分解能グロー放電質量分析法によるシリコン太陽電池用シリコン原料中の微量元素の測定方法
SEMI PV10 — シリコンの機器中性子放射化分析 (INAA) の試験方法
SEMI PV25 — 二次イオン質量分析法によるソーラーシリコンウェーハおよび原料中の酸素、炭素、ホウ素、リンを同時に測定する試験方法

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