SEMI PV17 - PV応用のための未使用シリコン供給原材料に関する仕様 -

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Volume(s): Photovoltaic
Language: Japanese



Type: Single Standards Download (.pdf)

リビジョン: SEMI PV17-1012 - 置き換えられました

リビジョン

Abstract

本基準は、global Photovoltaic Technical Committee で技術的に承認されている。現版は2012年8 月30日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 およびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2011年6月発行。前版は20123月発行。

シリコンは成長している太陽光発電(PV)産業の基幹材料の一つである。 シリコンからできている太陽電池は長年に亘って製造されるであろう。部隊がこの産業に参入している。

より多くの量とより原価効率の良いシリコン供給原料の必要性が冶金学的に改良法開発を提起した。精製手順開発に並行して,それぞれが特長ある材料特性を要求する多様な結晶化技術と太陽電池設計が産業界や研究組織によって調査された。最終的な太陽電池性能と全ての関連を考えるためには多次元の要素空間が必要とされる。ない多くの相互間問題を発生している。

シリコン供給原材料に対して標準化された,太陽電池のインゴットの限界性ある製造を可能にし全ての関係者の利益になる,規格はこれらの相互間問題を軽減し材料特性と用語の共通点が可能にすることが期待される。

この規格はCVD法、冶金学的精製法あるいはその他の方法により製造された未使用シリコン供給原材料に亘る。使ったその他の方法を含みます。

これらの規格化された材料は、太陽電池向けのシリコンウェーハを製造するために使われる単結晶インゴット成長やキャスティングあるいは多結晶シリコン成長の他の方法に対して向けられている。

この規格は非結晶質または微小形態シリコン生成のような薄膜太陽製品の製造に使う材料に向けられていないが、もし特定の応用に適切であれば使えよう。

この規格は未使用シリコン供給原材料へだけの応用で、解体物あるいは半導体産業からの廃棄物への応用ではない。

この規格はまた、混合された材料からの溶融物に対するガイドラインとして使われるかもしれないが、混合材料を規定することを意図していない。

参照されるSEMI規格

SEMI M44 –– シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド
SEMI MF28 –– 光導電率減衰の測定によるバルクゲルマニウムおよびシリコンの少数キャリア寿命の試験方法
SEMI MF84 –– インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF391 –– 定常状態の表面光電圧の測定による外部半導体の少数キャリア拡散長の試験方法
SEMI MF397 –– 2点プローブを使用したシリコンバーの抵抗率の試験方法

SEMI MF723 –– ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパントまたはキャリア密度の間の変換の実践
SEMI MF1188 –– 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間酸素含有量の試験方法
SEMI MF1389 –– 単結晶シリコンの III-V 族不純物フォトルミネッセンス分析の試験方法
SEMI MF1391 –– 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法
SEMI MF1528 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープn型シリコン基板のホウ素汚染測定の試験方法
SEMI MF1535 –– マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法
SEMI MF1630 –– 単結晶シリコンの III-V 族不純物に対する低温 FTIR 分析のテスト方法

SEMI MF1708 –– メルターゾーナー分光法による粒状ポリシリコンの評価の実践
SEMI MF1723 –– フロートゾーン結晶成長と分光法による多結晶シリコンロッドの評価の実践
SEMI PV1 — 高質量分解能グロー放電質量分析法によるシリコン太陽電池用シリコン原料中の微量元素の測定方法
SEMI PV10 — シリコンの機器中性子放射化分析 (INAA) の試験方法
SEMI PV25 — 二次イオン質量分析法によるソーラーシリコンウェーハおよび原料中の酸素、炭素、ホウ素、リンを同時に測定する試験方法

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