SEMI PV9 - 短時間光パルス照射後のマイクロ波反射率の非接触測定による，PV シリコン材料の過剰キャリア減衰（ライフタイム）試験方法 -

半導体のフリーキャリア密度があまり高くない場合、過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と行う)は禁止帯エネルギーにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。そのような再結合中心を形成し、減衰時間を低減させ、太陽光セルの効率に影響を与える。 高効率セルの場合、所期の高性能デバイスを獲得するためには減衰特性を考慮する制御が必要がある。

この試験法は、各種の単結晶、多結晶ウェーハ、ブリック、およびインゴットの減衰時間を測定する手順を予定。本試験法はマイクロ波光導電減衰法(( m -PCD)に基づくもので、光励起後の導電率の減衰を光照射により発生した過剰キャリアの減衰時間で測定する。

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