SEMI P27 - 基板上のレジスト膜厚の測定用パラメーターチェックリスト -

Abstract

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免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。ある場合には英語版記載内容が優先されます。

SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用いただく際の注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。

本チェックリストは、Global Micropatterning Committeeで技術的に承認されたもので、Japanese Micropatterning Committeeが直接責任を負うものである。現版は2003年4月28日Japanese Regional Standard Committeeにて承認されている。 2003年6月にまずwww.semi.orgで入手可能となり、 2003年7月発行に至る。初版は1996年発行。

注意: 現在のステータスを維持するための条件が満たされていないため、この規格または安全ガイドラインは非アクティブなステータスになっています。非アクティブな規格または安全ガイドラインは SEMI から入手でき、引き続き使用できます。

本チェックリストは，基板上の単層レジストの膜厚測定用パラメータを識別する。さ測定に、広く使用されています。

それらは，表面のトポロジーを検出するために，機械的に接触する方法を使用している表面輪郭計測器と，透明膜のみに使用される光干渉法である。

接触法は，光干渉法より正確度は高いが，測定の精度には限界がある。

このガイドラインは，リソグラフィプロセスにおける，単層レジストの膜厚測定用パラメーターについて。

例，これらは，レジストの品質管理のために，ベアシリコンウェーハ露上の光前のレジスト膜厚測定，またはレジストの特性向上決定のために，先に部分露光または全面露光のレジスト膜厚測定である。

なし。

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