
SEMI P24 - CD測長手順 -
Abstract
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本基準は、Global Micropatterning Committeeで技術的に承認されたもので、North American Microlithography Committeeが直接責任を負うものである。現版は2004年7月11日North American Regional Standards Committeeにて承認されている。2004年9月にまずwww.semi.orgで入手可能となり、2004年11月発行に続く。初版は1994年発行。
注意: 現在のステータスを維持するための条件が満たされていないため、この規格または安全ガイドラインは非アクティブなステータスになっています。非アクティブな規格または安全ガイドラインは SEMI から入手でき、引き続き使用できます。
本書の目的は露光-測長を行うにあたって、測長システムに対する統一的な手順を規定することである。熱処理,露光機の焦点調整,材料等のプロセスパラメータに対する他の変動に関して注目を置くものではない。
本書は特定用途-IC製造における露光分野-に対する測定システムの能力判断についてである。本文では相対の場合,「ウェーハ」を「マスク」と置き換えることにより,ICマスクの作成にも適用できる。
ただし、途中で露光に関する測定を行うことは最終的な電気特性を予測し、制御する国会有用であると考えられる。使われている技術に関係なく、この露光-測定長に関して有効に利用されることである。
測定とシステム能力は使用されたサンプルによる。 。
また、他の重要なパラメータは信頼性と清浄度である。これらは他のSEMIスタンダードでも考慮されている。
参照されるSEMI規格SEMI E10 — 機器の信頼性、可用性、保守性 (RAM) の定義と測定に関する規格
SEMI P19 — 集積回路製造用の計測パターンセルの仕様
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