SEMI MS13 - ディープ反応性イオン エッチング (DRIE) プロセスの特性評価のためのテスト パターンの使用に関するガイド -

Abstract

ディープ反応性イオンエッチング (DRIE) は MEMS で広く使用されています 高アスペクト比の異方性フィーチャを作成するための製造プロセス。 さらに、エッチングのパフォーマンスはオープンエリア (OA) に依存します。 エッチングプロセスの対象となる領域の量は、1% から 60% までの範囲になります。それ 幾何学的なパターンのローディング効果、エッチングの深さにも依存します。 エッチングする材料とその準備。最適なパラメータ値 選択されるものは、MEMS デバイスの種類とアプリケーションに応じて大きく異なります。の さらに、各ツールの種類 (多くの場合、各プロセス チャンバー) には固有のレシピがあります。 各材料（通常はシリコンまたは 二酸化ケイ素）とパターン。これらの設定には、ガス流量、持続時間、 温度プロファイルなど。チャンバーの環境条件も影響を及ぼします。 エッチングのパフォーマンスにおける役割は通常、設計者には事前に知られていません。 鋳物工場にデザインを持ち込みます。これらの変数は、多大なコストの発生につながります。 プロセスは特定の仕様に合わせて調整する必要があるため、設計者とファウンドリの両方が担当します。 生産を開始する前にパターンと素材の組み合わせを決定します。

この文書では、一連のエッチング テスト構造について説明します。 DRIE プロセス ツールのパフォーマンスを特徴づけます。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI 3D5 — で使用される計測技術のガイド 3DS-IC のシリコン貫通ビア (TSV) の幾何学的パラメータの測定 構造物

改訂履歴

SEMI MS13-0221 (初公開)

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