SEMI MS12 - MEMS デバイスの製造に使用されるシリコン基板の仕様 -

Abstract

MEMS の製造に使用される基板は、IC 製造に使用される基板と多くの物理的および電気的特性を共有していますが、いくつかの大きな違いもあります。 MEMS 基板を標準化して標準材料の在庫を確保し、購入までの時間、市場投入までの時間、および全体的なコストを削減する必要があります。この仕様は、そのような基板の注文と指定に必要な情報を提供します。

この文書は、公称直径 150 mm および 200 mm の基板の購入者と販売者の間での基本的な購入テンプレートとして使用できます。

この文書には、寸法や表面特性などの物理的特性や基本的な電気的特性に関する情報など、MEMS 製造で使用される基板の選択されたカテゴリを指定するために必要な情報が含まれています。

サプライヤーとユーザーの間で歴史的に合意されてきた特性の値は、この仕様に表形式でリストされています。価値が歴史的に合意されていない場合、不動産は買い手と売り手の間で指定される価値でリストされています。

実際的な場合には、表にまとめられた特性を決定するために使用される 1 つ以上の測定方法が含まれています。

参照されるSEMI規格 

SEMI 3D4 — 貼り合わせたウェーハスタックの厚さ、総厚さ変動（TTV）、反り、反り、平坦度を測定するための計測ガイド

SEMI 3D13 — 接合されたウェーハスタック内のボイドを測定するためのガイド

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様

SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様

SEMI M13 — シリコンウェーハの英数字マーキングの仕様

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法

SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法

SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法

SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび反りを測定する試験方法

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