SEMI MF1529 - デュアル構成手順によるインライン 4 点プローブによるシート抵抗均一性評価のテスト方法 -

Abstract

エピタキシャル、注入、拡散、またはエピタキシャルのシート抵抗 蒸着膜は重要な材料の受け入れとプロセス制御です パラメータ。ウェーハ全体のシート抵抗の均一性は、 これらのプロセスはいずれも、パフォーマンスの同等性にとって重要です。 ウェハのさまざまな領域から作られたデバイスまたは回路。

この試験方法では、4 点プローブを次のように使用します。 の測定に関する他の A​​STM 方法とは異なります。 半導体の抵抗率またはシート抵抗。このテスト方法では、2 つの プローブピンを電子機器に接続するさまざまな方法 (構成) 各測定箇所で電流の供給と電圧の測定が使用される 標本上で。この 4 点プローブの使用は、「デュアル構成」と呼ばれることがよくあります。 または「構成切り替え」測定として。

2回目以降のメリットは3つあります。 各位置での測定構成: (1) プローブを設置する必要がなくなりました。 試験片上で対称性の高い配向、つまり垂直または 円形ウェーハの半径、またはウェーハの長さまたは幅に平行 長方形の試験片（試験片の端から適度な距離にある限り） ウェハ、(2) 試験片の横方向の寸法、およびウェハの正確な位置 試料上のプローブを知る必要はもうありません - 幾何学的なスケーリング係数 各場所での 2 セットの電気測定から直接結果が得られます。 (3) 2 セットの測定値は実際の分離に対して自己補正されます。 より効果的であることがわかっている方法でプローブピン間を固定します。 研磨された材料に付けられたプローブの痕跡を測定するよりも。として その結果、より狭いプローブ間隔で高精度の測定を行うことができます。 4 点プローブの単一構成を使用する場合よりも可能であるため、 ウェーハのシート抵抗変化のより高い空間分解能が可能になります。

このテスト方法は主に、 拡散、エピタキシー、イオン注入および化学薬品によって形成された層の均一性 シリコン基板上の蒸着プロセス、またはその他の蒸着プロセス。入金された 単結晶、多結晶またはアモルファスシリコン、または 金属膜は基板から電気的に絶縁する必要があります。これは可能です 層が基板とは逆の導電型である場合に達成されます。 あるいは、二酸化シリコンなどの誘電体層の上に堆積されます。この試験方法 0.05 μm の薄さのフィルムを測定できますが、特に注意が必要です。 範囲内のほとんどのフィルムの信頼できる測定を確立するために必要です 0.2μm以下。プローブ間隔の半分までの厚さのフィルムは、 厚さ関連の補正係数を使用せずに測定できます。かもしれない シリコン・オン・インシュレータ技術によって形成された膜について誤解を招く結果が生じる 絶縁体中の電荷または電荷トラップが原因です。

この試験方法はシートの測定に使用できます。 バルク基板の抵抗均一性。ただし、厚みは、 基板は一定であることがわかっているか、すべての位置で測定する必要があります ここで、相対的な値を計算するためにシート抵抗値が測定されます。 抵抗値の変化を確実に把握します。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI C19 — アセトンの仕様

SEMI C23 — バッファード酸化エッチャントの仕様

SEMI C41 — 2-プロパノールの仕様とガイドライン

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

SEMI MF42 — 外部導電率の種類の試験方法 半導体材料

SEMI MF81 — ラジアル抵抗率を測定するための試験方法 シリコンウェーハのバリエーション

SEMI MF84 — 抵抗率を測定するための試験方法 インライン 4 点プローブ付きシリコンウェーハ

SEMI MF374 — シリコンのシート抵抗の試験方法 インラインを使用したエピタキシャル層、拡散層、ポリシリコン層、およびイオン注入層 単一構成手順による 4 点プローブ

SEMI MF1618 — 均一性の決定の実践 シリコンウェーハ上の薄膜

改訂履歴

SEMI MF1529-1110 (再承認 0222)

SEMI MF1529-1110 (再承認 1115)

SEMI MF1529-1110 (技術改訂)

SEMI MF1529-1104 (技術改訂)

SEMI MF1529-02 (SEMI の初出版物)

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