SEMI MF1527 - シリコンの抵抗率を測定する機器の校正および制御のための認定標準物質および基準ウェーハの適用に関するガイド -

Abstract

この規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 8 月 17 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 10 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。 ASTM International によって当初 ASTM F1527-94 として発行されました。以前は 2012 年 4 月に出版されました。

抵抗率は、半導体デバイスや集積回路の製造に使用されるシリコン ウェーハの仕様と特性評価に広く使用されているパラメータです。 SEMI MF673 に準拠した測定に使用される非接触渦電流測定器を含む、抵抗率測定に使用される多くの種類の測定器は相対測定であるため、校正が必要です。 SEMI MF84 に従ってインライン 4 点プローブで行われる測定は原則として絶対的ですが、試験片の電気抵抗率が十分に均一であることを常に確信できるとは限らないため、4 点プローブの管理図を維持する必要があります。適用する方法の理論モデルでは、ウェーハの電気的厚さが測定された機械的厚さと正確に等しいか、装置の安定性が適切であるかが必要です。

拡散抵抗 (SEMI MF525 または SEMI MF672 に従って使用)、正味キャリア密度 (SEMI MF1392 に従って使用)、シート抵抗 (SEMI MF1529 に従って使用) などの関連パラメーターを測定する機器も校正が必要です。

これらすべての目的には、抵抗率が既知のウェーハが必要です。このようなウェーハは、さまざまな認定または校正された抵抗率値を備えた複数の供給元から供給されます。これらのウェーハは直接使用されることが多いですが、購入した標準で表される抵抗率値を社内の抵抗率基準ウェーハに転送して、日常的な機器の校正や制御に使用することもできます。

この転写が影響を受ける可能性のある精度は、そのような基準ウェーハを使用する手順だけでなく、材料の選択、機器の認定、および基準ウェーハの校正の手順にも依存します。このガイドでは、抵抗率基準ウェーハの使用時に利用可能な最高の精度を得るために適切なこれらの操作の手順に関する推奨事項を提供します。

これらの手順は、特にシリコン ウェーハの抵抗率の測定に使用することを目的としています。他の半導体材料の抵抗率測定や、抵抗率基準ウェーハでカバーされる範囲外の抵抗率値への拡張は実証されていません。

SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様とガイド
SEMI C35 — 硝酸の仕様とガイド
SEMI C39 — 水酸化カリウムペレットの仕様
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF43 — 半導体材料の抵抗率の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF525 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定する試験方法
SEMI MF533 — シリコンスライスの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF672 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定する試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流ゲージを使用して半導体スライスの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF723 — ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパント濃度間の変換の実践
SEMI MF1392 — 水銀プローブを使用した容量電圧測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度プロファイルを決定するための試験方法
SEMI MF1529 — デュアル構成手順によるインライン 4 点プローブによるシート抵抗均一性評価の試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、および厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF1618 — シリコンウェーハ上の薄膜の均一性を決定するための実践
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド

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