SEMI MF1239 - 格子間酸素還元の測定によるシリコンウェーハの酸素析出特性の試験方法 -

Abstract

シリコンウェーハのバルク中の酸化物析出物が作用する可能性があります。 製造中に混入する可能性のある汚染のゲッタリングサイトとして 回路やデバイスのこと。この汚染 (通常は金属不純物) ゲッタリングされないため、デバイスの製造歩留まりが低下し、デバイスが劣化する可能性があります。 回路性能。したがって、酸素析出特性は、 シリコンウェーハは、歩留まりとパフォーマンスの両方に大きな影響を与える可能性があります。

 

間質酸素濃度も重要ですが、 シリコン内で発生する酸素析出量に影響を与える要因 特定の熱サイクル中に、次のような他の不純物が存在します。 炭素または窒素、ドーパントの種類と密度、熱の違い 結晶の歴史や欠陥特性も析出量に影響を与える可能性があります 特徴。したがって、多くの場合、特定の材料を選択する必要があります。 望ましい沈殿特性を得るための特性と調製技術 特定のアプリケーション向け。

 

この試験方法は酸素を比較するために使用できます。 シリコンウェーハの２つ以上のグループの削減。この試験方法は以下に基づいています 特定の一般的なデバイス処理サイクルをシミュレートする熱サイクル。

サイクル A — 1 ステップの降水サイクルで、 受け取ったままのウェーハに存在する天然の核形成サイトを示します。

サイクル B — 2 段階の核生成と析出サイクル。 通常の n-MOS デバイス処理で発生する析出をシミュレートします。

 

これらの試験方法は、定性的に比較するために使用できます。 2 つ以上のグループのウェーハの析出特性。

 

これらのテスト方法は、次のことを判断するためにも使用できます。 ウェーハ全体の酸素還元の均一性 (SEMI MF951 と併用) またはロット内でウェーハからウェーハへ。

範囲

これらのテスト方法は、次のような補完的な手順をカバーしています。 シリコンウェーハの酸素析出特性のテスト。それは 降水量の特性は降水量に関係していると考えられます。 指定された熱サイクル中に失われる格子間酸素。

 

これらのテスト方法は、あらゆる n 型または p 型に適用できます。 任意の方向のチョクラルスキー シリコン ウェーハの厚さ、抵抗率、 表面仕上げは酸素濃度を測定できるようなものである 赤外線吸収により、その酸素濃度は、 測定可能な酸素損失。

 

これらの試験方法は、 「露出帯」、つまり表面近くの領域の幅または特徴。 本質的に酸化物析出物のないウェーハ。

 

これらのテスト方法は破壊的であるため、適切ではありません。 サンプリング技術を採用する必要があります。

 

実機での材料性能の判定 製造状況はこれらの方法の範囲を超えています。しかし、比較してみると、 実際のデバイスの歩留まりと性能、基準を伴うこれらのテストの結果 特定の材料特性を選択するために確立される場合があります。

 

SI単位で記載されている値は目安となります。

 

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様

SEMI C29 — 4.9% フッ化水素の仕様とガイド 酸 10:1 v/v

SEMI C54 — 酸素の仕様とガイドライン

SEMI C59 — 窒素の仕様とガイドライン

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

SEMI MF951 — ラジアル測定のための試験方法 格子間酸素変化シリコンウェーハ

SEMI MF1188 — 格子間原子状酸素の試験方法 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコン含有量

SEMI MF1619 — 格子間物質の測定のための試験方法 p偏光による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの酸素含有量 ブリュースター角での放射線入射

 

改訂履歴

SEMI MF1239-0305 (再承認 0222)

SEMI MF1239-0305 (再承認 0416)

SEMI MF1239-0305 (再承認 0211)

SEMI MF1239-0305 (技術改訂)

SEMI MF1230-02 (SEMI の初出版物)

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