SEMI MF951 - シリコンウェーハの半径方向の格子間酸素変動を測定するための試験方法 -

Abstract

酸素の存在は特定の人にとって有益である可能性があります プロセスに起因する生成物の形成を防止することにより、製造作業を改善します。 欠陥。これが真実である限り、酸素が スライス全体に均一に分散されます。

さまざまなニーズを満たすために複数のテスト計画が含まれています 要件。特徴的な形状と酸素濃度の大きさ 結晶内の分布は結晶成長プロセスの関数です。それでも 指定されたテスト計画は酸素濃度をカバーすることを目的としています。 通常見られる分布ですが、他の分布が発生する可能性があります。そのような中で 場合によっては、指定された以外のテスト位置を使用する必要がある場合があります。 分布パターンを適切に説明するため。

この試験方法はプロセス制御、研究に使用できます。 開発および材料受け入れの目的。不在の場合 この試験方法の精度の研究所間評価、その用途 関係者が確立しない限り、資材の受け入れは推奨されません。 期待できる相関の程度。

このテスト方法はテストサイトの選択とデータをカバーします。 間質酸素の半径方向の変動に対する低減手順 の製造に通常使用されるシリコンスライス中の濃度 マイクロエレクトロニクス半導体デバイス。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI MF81 — ラジアル抵抗率を測定するための試験方法 シリコンウェーハのバリエーション

SEMI MF533 — 厚さおよび厚さの試験方法 シリコンウェーハのバリエーション

SEMI MF1188 — 間質酸素含有量の試験方法 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの反応

SEMI MF1366 — 酸素測定の試験方法 二次イオン質量別の高濃度ドープシリコン基板中の濃度 分光分析

SEMI MF1619 — 格子間物質の測定のための試験方法 p偏光による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの酸素含有量 ブリュースター角での放射線入射

改訂履歴

SEMI MF951-0305 (再承認 0222)

SEMI MF951-0305 (再承認 0316)

SEMI MF951-0305 (再承認 0211)

SEMI MF951-0305 (技術改訂)

SEMI MF951-02 (SEMI の初出版物)

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