SEMI MF399 - ヘテロエピタキシャル層またはポリシリコン層の厚さの試験方法 -

Abstract

この規格は元々 ASTM International によって ASTM F399-74T として発行されました。この製品は ASTM 投票手順によって正式に承認され、ASTM 特許要件に準拠していました。この規格の所有権はSEMIに移管されていますが、SEMIの投票手続きによって正式に承認されておらず、特許を扱うSEMI規則やSEMIスタイルマニュアルのいずれにも準拠していません。 2010 年 6 月に www.semi.org で入手可能。当初は ASTM International によって ASTM F399-00a として発行されました。以前は SEMI MF399-00a として公開されていました。

注意: この文書は 2010 年に投票され、撤回が承認されました。

この試験方法は、堆積された層と基板の間の界面領域の厚さが 20 nm 未満になるような条件下で堆積されたシリコン ヘテロエピタキシャル層またはポリシリコン層の厚さの測定を対象としています。 20 nm 以上の厚さの界面領域はめったに発生しませんが、厚さの測定が完了して層がエッチング除去された後、表面形状計で検出できる元々滑らかな基板の粗さによって証明されます。この試験方法は、厚さが 0.1 ～ 20 μm の範囲の層に適用できます。他の厚さも同じ手法で測定できる可能性がありますが、期待される精度はまだ決定されていません。このテスト方法は、二酸化シリコン、サファイア、スピネルなど、推奨されるエッチングによって大きな影響を受けない任意の基板上に堆積されたシリコン層に適用できます。

SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様とガイドライン
SEMI C35 — 硝酸の仕様とガイドライン
SEMI C36 — リン酸の仕様

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