
SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様 -
Abstract
本基準は、global Compound Semiconductor Committee で技術的に承認されている。現版は2010年12 月21日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 およびwww.semi.org で入手可能となる。 初版は2000 年10 月発行。
化合物半導体エピタキシャル層は、長年にわたって高速エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの基本構造としてずっと使用されてきた。ユーザの仕様通りに材料を成長させる,エピタキシャル層の供給シャルヤがいる。 ,および推奨されたテスト方法等を定義し,ウェーハ仕様の解釈の解消さをなくす必要がある。実際の製品仕様に関してはユーザ、供給ヤの間の更なる要求項目が必要とされる。
参照されるSEMI規格
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M04200 - SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様
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