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SEMI M36 - 低転位密度ガリウムヒ素ウェーハのエッチピット密度 (EPD) を測定するための試験方法 -
Volume(s):
Materials
Language:
English
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
この試験方法は世界的な化合物半導体委員会によって技術的に承認されており、日本の化合物半導体材料委員会が直接責任を負っています。最新版は 1999 年 3 月 17 日に日本の地域標準委員会によって承認されました。最初は 1999 年 4 月に www.semi.org で入手可能でした。 1999年6月発行予定。
この文書は、低転位密度 GaAs ウェーハのエッチ ピット密度 (EPD) を測定する方法を提供します。
参照されるSEMI規格
なし。
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